化學(xué)氣相沉積(Chemical Vapor Deposition, CVD)是指高溫環(huán)境下氣態(tài)反應(yīng)劑在襯底表面發(fā)生化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的過程,廣泛應(yīng)用于金屬、氧化物、氮化物及碳化物等無機(jī)薄膜的制備。PECVD(Plasma Enhanced CVD)是借助射頻使氣體電離產(chǎn)生局部等離子體,等離子體活性可有效促進(jìn)反應(yīng),從而降低反應(yīng)溫度,加快成膜速率。
技術(shù)參數(shù):
1 基片尺寸可定制;
2 低溫工藝:< 150℃ / 350℃;
3 多層式工藝氣體導(dǎo)入,氣體分布均勻;
4 獨(dú)立MFC控制箱,可靈活擴(kuò)充工藝氣路;
5 基片內(nèi)鍍膜均勻性優(yōu)于 ±5%;
6 可與手套箱集成;