PE-CVD解決方案
與典型CVD反應(yīng)器相比,等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積(PE-CVD)提供了一種可使用更低溫度沉積各種薄膜的有效替代方案,同時(shí)不會(huì)降低薄膜質(zhì)量。高質(zhì)量的二氧化硅(SiO2)膜可以在300℃至350℃沉積,而CVD需要650℃至850℃的溫度生產(chǎn)類(lèi)似質(zhì)量的鍍膜。
PE-CVD使用電能產(chǎn)生輝光放電(等離子體),其中能量轉(zhuǎn)移到氣體混合物中。這將氣體混合物轉(zhuǎn)化成反應(yīng)性自由基、離子、中性原子和分子,以及其他高活性物質(zhì)。在PE-CVD中,氣相和表面反應(yīng)受到等離子體性質(zhì)的強(qiáng)烈控制。代替熱活化,氣體混合物的電子碰撞電離驅(qū)動(dòng)氣相反應(yīng),能夠在比常規(guī)CVD工藝低得多的溫度下進(jìn)行沉積。 對(duì)于PE-CVD,沉積速率通常不是基片溫度的強(qiáng)函數(shù),表面活化能通常很小。然而,薄膜性質(zhì),例如,組成、應(yīng)力和形態(tài),通常是基片溫度的強(qiáng)函數(shù)。
等離子體增強(qiáng)CVD的優(yōu)點(diǎn)
PE-CVD鍍膜的一些理想性能包括,良好的粘附性、低針孔密度、良好的保形性,以及平面和三維表面上的均勻性。 PE-CVD的實(shí)用性和靈活性在于,其能夠在從硅片到汽車(chē)部件的各種基材上沉積高質(zhì)量的鍍膜。此外,等離子體增強(qiáng)CVD系統(tǒng)比常規(guī)CVD提供更低的擁有成本。
丹頓真空公司專(zhuān)門(mén)從事等離子增強(qiáng)CVD (PE-CVD),沉積類(lèi)金剛石(DLC)鍍膜。DLC鍍膜是一類(lèi)無(wú)定形碳膜,表現(xiàn)出與金剛石相似的性能,例如,硬度、抗刮擦性和高導(dǎo)熱性。此外,DLC鍍膜由于其生物相容性、紅外透明性和電絕緣性能,在商業(yè)方面價(jià)值。丹頓公司已經(jīng)開(kāi)發(fā)專(zhuān)有的能力,擴(kuò)展DLC的特性范圍,包括抗指紋和疏水性。
我們的 Voyager PE-CVD解決方案提供低溫濺射,具有高度均勻性