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PEALD 原子層沉積系統(tǒng)

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  • 型號
  • 品牌
  • 所在地深圳市
  • 更新時間2022-08-03
  • 廠商性質其他
  • 入駐年限1
  • 實名認證已認證
  • 產品數量230
  • 人氣值540
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1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積);2.PEALD (等離子增強原子層沉積);3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);儀器簡介:原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition。
PEALD 原子層沉積系統(tǒng) 產品詳情

主要產品系列:

1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積);

2.PEALD (等離子增強原子層沉積);

3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積);


儀器簡介:

原子層沉積(Atomic Layer Deposition,ALD),也稱為原子層外延(Atomic Layer Epitaxy,ALE),或原子層化學氣相沉積(Atomic Layer Chemical Vapor Deposition,ALCVD)。

原子層沉積是在一個加熱反應的襯底上連續(xù)引入至少兩種氣相前驅體源,化學吸附至表面飽和時自動終止,適當的過程溫度阻礙了分子在表面的物理吸附。一個基本的原子層沉積循環(huán)包括四個步驟:脈沖A,清洗A,脈沖B和清洗B。沉積循環(huán)不斷重復直至獲得所需的薄膜厚度,是制作納米結構從而形成納米器件的工具。

ALD的優(yōu)點包括:

1.  可以通過控制反應周期數精確控制薄膜的厚度,從而達到原子層厚度精度的薄膜;

2.  由于前驅體是飽和化學吸附,保證生成大面積均勻性的薄膜;

3.  可生成的三維保形性化學計量薄膜,作為臺階覆蓋和納米孔材料的涂層;

4.  可以沉積多組份納米薄層和混合氧化物;

5.  薄膜生長可在低溫下進行(室溫到400度以下);

6.  可廣泛適用于各種形狀的襯底;

7.  原子層沉積生長的金屬氧化物薄膜可用于柵極電介質、電致發(fā)光顯示器絕緣體、電容器電介質和MEMS器件,生長的金屬氮化物薄膜適合于擴散勢壘。


技術參數:

基片尺寸:6英寸、8英寸、12英寸;

加熱溫度:25℃—400℃(可選配更高);

均勻性: < 2%;

前驅體數:4路(可選配6路);

兼容性: 可兼容100級超凈室;

尺寸:950mm x 700mm;

ALD及PE-ALD技術;


原子層沉積ALD的應用包括:

1)     High-K介電材料 (Al2O3, HfO2, ZrO2, PrAlO, Ta2O5, La2O3);

2)     導電門電極 (Ir, Pt, Ru, TiN);

3)     金屬互聯結構 (Cu, WN, TaN,Ru, Ir);

4)     催化材料 (Pt, Ir, Co, TiO2, V2O5);

5)     納米結構 (All ALD Material);

6)     生物醫(yī)學涂層 (TiN, ZrN, TiAlN, AlTiN);

7)     ALD金屬 (Ru, Pd, Ir, Pt, Rh, Co, Cu, Fe, Ni);

8)     壓電層 (ZnO, AlN, ZnS);

9)     透明電學導體 (ZnO:Al, ITO);

10)    紫外阻擋層 (ZnO, TiO2);

11)    OLED鈍化層 (Al2O3);

12)    光子晶體 (ZnO, ZnS:Mn, TiO2, Ta3N5);

13)    防反射濾光片 (Al2O3, ZnS, SnO2, Ta2O5);

14)    電致發(fā)光器件 (SrS:Cu, ZnS:Mn, ZnS:Tb, SrS:Ce);

15)    工藝層如蝕刻柵欄、離子擴散柵欄等 (Al2O3, ZrO2);

16)    光學應用如太陽能電池、激光器、光學涂層、納米光子等 (AlTiO, SnO2, ZnO);

17)    傳感器 (SnO2, Ta2O5);

18)    磨損潤滑劑、腐蝕阻擋層 (Al2O3, ZrO2, WS2);


目前可以沉積的材料包括:

1)   氧化物: Al2O3, TiO2, Ta2O5, ZrO2, HfO2, SnO2, ZnO, La2O3, V2O5, SiO2,...

2)   氮化物: AlN, TaNx, NbN, TiN, MoN, ZrN, HfN, GaN, ...

3)   氟化物: CaF2, SrF2, ZnF2, ...

4)   金屬: Pt, Ru, Ir, Pd, Cu, Fe, Co, Ni, ...

5)   碳化物: TiC, NbC, TaC, ...

6)   復合結構材料: AlTiNx, AlTiOx, AlHfOx, SiO2:Al, HfSiOx, ...

7)   硫化物: ZnS, SrS, CaS, PbS, ...


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