摘要“世界上沒有一個ALD公司能擁有像Picosun那樣的資質(zhì)?！?Picosun的研究歷史和背景始于原子層沉積領(lǐng)域研究起步時期。ALD原子層沉積系統(tǒng)是由Dr. Tuomo Suntola 于1974年在芬蘭發(fā)明的，他現(xiàn)在是Picosun董事會成員之一。Picosun的創(chuàng)...

摘要 金屬有機物前驅(qū)體和反應(yīng)氣體在真空腔體交替填充、覆蓋且反應(yīng)，形成原子級精度（厚度和原子排布）的薄膜。

摘要PICOSUN™ P-300 系統(tǒng)擁有的熱壁、獨立的前驅(qū)體管路和特殊的載氣設(shè)計，確?？梢陨a(chǎn)出具有優(yōu)異的成品率、低顆粒水平和的電學(xué)和光學(xué)性能的高質(zhì)量 ALD 薄膜。高效緊湊的設(shè)計使得維護(hù)更加方便、快捷，大限度減少系統(tǒng)的維護(hù)停工期和使用成本。擁有技術(shù)的 Pi...

摘要 PICOSUN® R-200 標(biāo)準(zhǔn) ALD 系統(tǒng)適用于數(shù)十種應(yīng)用的研發(fā)，例如 IC 組件、MEMS 設(shè)備、顯示器、LED、激光器和 3D 對象，例如透鏡、光學(xué)器件、珠寶、硬幣和醫(yī)療植入物。

摘要 Picosun R-200 系列原子層沉積系統(tǒng)是一款多功能的原子層沉積平臺，是用于研發(fā)的理想選擇，適用于 IC 器件、MEMS 器件、顯示器、LED、激光器以及透鏡、光學(xué)部件、珠寶、硬幣、醫(yī)療植入物等 3D 部件的研發(fā)。

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 設(shè)備規(guī)格工藝溫度：溫度范圍：RT~500°C（可定制）前驅(qū)體路數(shù)：支持6路前驅(qū)體氣路（可定制)

摘要 詳細(xì)內(nèi)容ALD-02原子層沉積系統(tǒng)ALD產(chǎn)品特點產(chǎn)品參數(shù)產(chǎn)品介紹TheAdvancedALDsystemisaviscousflow-typereactorforultrathinfilmdeposition

摘要 美Nano-master ALD/PEALD原子層沉積：NLD-4000 獨立式ALD系統(tǒng)NLD-3500 緊湊型獨立式ALD系統(tǒng)NLD-3000 臺式ALD系統(tǒng)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應(yīng)用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應(yīng)用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 工藝可沉積薄膜種類和應(yīng)用場景包括：?High-K介電材料(Al2O3,H2O,ZrO2,PrA1Q,Ta205,La2O3)

摘要 科研型原子層沉積系統(tǒng)ALD系芬蘭picosun公司R-200standard原子層沉積技術(shù),具有的熱壁設(shè)計和單獨的入口，可實現(xiàn)無顆粒工藝，適用于晶圓，3D對象和所有納米級特征上的多種材料

摘要 等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)采用更大的腔室和等離子ALD模塊,獲得更好的原子層沉積效果

摘要 詳細(xì)介紹等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)等離子體增強原子層沉積系統(tǒng)（PEALD)等離子體增強原子層沉積（PlasmaEnhanceAtomicLayerDeposition

摘要 產(chǎn)品概要： 美國埃米Angstrom Dep III原子層沉積系統(tǒng)，包括：傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)(TALD)、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)(PEALD)、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)(Power-ALD)。

摘要 原子層沉積（ALD）是在3D結(jié)構(gòu)上逐層沉積超薄薄膜的工藝方法

摘要 主要特點/MAINFEATURE主要特點/MAINFEATURE●樣品類型：粉體樣品

摘要 原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

摘要 ALD可實現(xiàn)從傳統(tǒng)的 0D、1D 和 2D 材料到仿生結(jié)構(gòu)和混合材料、多孔模板和具有均勻控制成分和物理化學(xué)性質(zhì)的三維復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)。

摘要 原子層沉積系統(tǒng)，包括：傳統(tǒng)的熱原子層沉積系統(tǒng)（TALD）、等離子增強原子層沉積系統(tǒng)（PEALD）、粉末樣品的原子層沉積系統(tǒng)（Power-ALD）。

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-1000 Pro ）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-300 BV）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ ALD P-200 Pro）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD P-300 Advanced）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ALD R-200 Advanced）

摘要 原子層沉積系統(tǒng)（ ALD R-200 Standard）

摘要產(chǎn)品描述：等離子體增強原子層沉積系統(tǒng) ...

摘要原子層沉積（Atomiclayerdeposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。應(yīng)用領(lǐng)域原...

摘要 在界定的劑量體積下精確引物加樣

摘要原子層沉積系統(tǒng)SAL1000G是一款包含手套箱小型桌面ALD原子層沉積系統(tǒng)，具有良好的均勻性及*的階梯覆蓋性能，使用戶能夠控制每個原子層的沉積。通過手套箱，可在惰性氣體環(huán)境下進(jìn)行操作，并且可以防止吸入納米級顆粒。該設(shè)備是小型且經(jīng)濟(jì)實惠的型號，與主機和控制電源相結(jié)合，追...

摘要 桌面型原子層沉積系統(tǒng)

摘要 SAL-3000 ALD原子層沉積系統(tǒng)SAL3000是一款適用于研究型的ALD原子層沉積設(shè)備，該設(shè)備最多可搭載6路前驅(qū)體，適用于4英寸（φ100mm）以下基底材料的鍍膜。

摘要PICOSUN擁有30多年在芬蘭ALD反應(yīng)器制造而得到的專業(yè)技術(shù)。Tuomo Suntola博士，于1974年發(fā)明了ALD技術(shù)，是PICOSUN董事會的成員。我們的技術(shù)官SVEN LINDFORS從1975年開始連續(xù)的設(shè)計ALD系統(tǒng)。綜合起來講，PICOSUN擁有了2...

摘要NLD-3500（A）全自動原子層沉積系統(tǒng)概述：原子層沉積是一項沉積薄膜的重要技術(shù)，具有廣泛的應(yīng)用。ALD原子層沉積可以滿足精確膜厚控制以及高深寬比結(jié)構(gòu)的保形沉積，這方面ALD原子層沉積遠(yuǎn)超過其它沉積技術(shù)。由于前驅(qū)體流量的隨意性不會帶來影響，所以在ALD原子層沉積中有...

摘要1.ALD (傳統(tǒng)的熱原子層沉積)；2.PEALD (等離子增強原子層沉積)；3.Powder ALD (粉末樣品的原子層沉積)；儀器簡介：原子層沉積（Atomic Layer Deposition，ALD），也稱為原子層外延（Atomic Layer Epitaxy...

摘要 原子層沉積（Atomic layer deposition)是一種可以將物質(zhì)以單原子膜形式一層一層的鍍在基底表面的方法。原子層沉積與普通的化學(xué)沉積有相似之處。但在原子層沉積過程中，新一層原子膜的化學(xué)反應(yīng)是直接與之前一層相關(guān)聯(lián)的，這種方式使每次反應(yīng)只沉積一層原子。

摘要 日本Microphase 原子層沉積系統(tǒng)

摘要 01產(chǎn)品介紹產(chǎn)品·參數(shù)原子層沉積系統(tǒng)ALD標(biāo)準(zhǔn)型（Standard）設(shè)備價格低、質(zhì)量高、可任選附件進(jìn)行搭配結(jié)構(gòu)簡單

摘要產(chǎn)品描述：等離子體增強原子層沉積系統(tǒng) ...

摘要 簡要描述：澳柯瑪血液低溫操作臺，本產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于血站分裝、 標(biāo)貼、 擠壓血液、 血液制品處理。

摘要 編碼器在OEM市場的應(yīng)用比例較高，主要應(yīng)用于機床、電梯、伺服電機配套、紡織機械、包裝機械、印刷機械、起重機械等行業(yè)。變送器LEINE+LINDE01300320

摘要NPE-3500 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)配置包含1路惰性氣體、3路活性氣體管路和4個MFC.帶有*氣體分布系統(tǒng)的平面中空陰極等離子源使得系統(tǒng)可以滿足廣大范圍的要求，無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來...

摘要 PECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)無論是等離子強度、均勻度，還是要分別激活某些活性組份，這樣系統(tǒng)可以覆蓋zui廣的可能性來獲得各種沉積參數(shù)。

摘要 全自動ICPECVD等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)該系統(tǒng)采用淋浴頭電極或中空陰極射頻等離子源來產(chǎn)生等離子，具有分形氣流分布的優(yōu)勢.樣品臺可以通過RF或脈沖DC產(chǎn)生偏壓。并可以支持加熱和循環(huán)冷卻水的冷卻.