離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積（PECVD）
技術(shù)指標(biāo):
氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2
清洗氣路: CF4/O2混合氣體
樣品尺寸：8英寸table,可沉積大6英寸基片
控溫范圍： 室溫至400℃
沉積材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
型號：NRE-4000離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)
廠家：美國Nanomaster公司
技術(shù)指標(biāo):離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(PECVD)
氣路：N2O, SiH4, NH3, CH4, O2, Ar, N2
清洗氣路: CF4/O2混合氣體
樣品尺寸：8英寸table,可沉積大6英寸基片
控溫范圍： 室溫至400℃
沉積材料：氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等
主要功能及應(yīng)用范圍：
PECVD系統(tǒng)可以借助微波或射頻源使含有薄膜組成原子的氣體在局部形成等離子體，利用等離子體的強(qiáng)化學(xué)活性發(fā)生反應(yīng)，從而在基片上沉積出所期的薄膜，具有基本溫度低、沉積速率快、成膜質(zhì)量好等優(yōu)點(diǎn)。可沉積氧化硅、氮化硅、碳化硅、多晶硅等材料，能夠?qū)崿F(xiàn)對沉積厚度的精確控制，還可以通過改變反應(yīng)氣體組分在一定范圍內(nèi)調(diào)節(jié)沉積薄膜的折射率，可應(yīng)用于微/納結(jié)構(gòu)中的抗腐蝕層、微納電子器件中的絕緣層、薄膜太陽能電池等。
2016年1月21日，上海交通大學(xué)激光制造實驗室迎十周年慶暨中德激光制造技術(shù)交流會在上海交通大學(xué)閔行校區(qū)舉行。中國*部長萬鋼和德國教研部部長Johanna Wanka女士出席并致辭。**司副司長陳家昌，上海市科委主任壽子琪，上海交通大學(xué)校長張杰、常務(wù)副校長林忠欽等出席會議。上海交通大學(xué)副校長黃震主持活動。
