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熱絲輔助化學(xué)氣相沉積(Hot Wire Assisted Chemical Vapor Deposition, HWCVD)是指在加熱絲輔助的條件下進(jìn)行薄膜化學(xué)氣相沉積，適合做高溫的結(jié)晶材料，加熱絲輔助的同時(shí)還可以利用等離子體增強(qiáng)線圈進(jìn)一步輔助，從而提高制備出來的薄膜的晶體取向性。
技術(shù)參數(shù)：
1 基片尺寸可定制；
2 加熱溫度 2000℃；
3 樣品臺(tái)加熱溫度500℃；
4 ICP等離子體增強(qiáng)可選；
| 產(chǎn)品名稱 | 參考價(jià) | 地區(qū) | 公司名稱 | 更新時(shí)間 | |
|---|---|---|---|---|---|
| R-200 Advance 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| R-200 Standard 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| P-300B 原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-11 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-08-10 | 在線詢價(jià) |
| 芬蘭Picosun原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 廣州市 | 廣州納儀科技有限公司 | 2024-05-12 | 在線詢價(jià) |
| 等離子體增強(qiáng)原子層沉積系統(tǒng) | 面議 | 上海 | 上海德竹芯源科技有限公司 | 2024-01-19 | 在線詢價(jià) |
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