半導(dǎo)體工藝技術(shù)一直在不斷縮小規(guī)模并朝著 3D 結(jié)構(gòu)發(fā)展，這對(duì)薄膜沉積提出了挑戰(zhàn)。Trias EX-II TiN（氮化鈦）是一種*的 300mm 單晶片沉積系統(tǒng)，適用于高速 ASFD ，可實(shí)現(xiàn)具有出色晶片內(nèi)均勻性和高臺(tái)階覆蓋特性的高質(zhì)量薄膜形成。該系統(tǒng)采用優(yōu)化的反應(yīng)器設(shè)計(jì)和新的氣體注入模塊，即使在的半導(dǎo)體器件制造中也能實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率，并用于各種應(yīng)用，包括接觸勢(shì)壘、電容器電極、字線勢(shì)壘和金屬柵極的形成。三重奏EX-II TiN Plus 為復(fù)雜結(jié)構(gòu)上的 TiN 保形金屬沉積提供了出色的均勻性。此外，產(chǎn)品陣容中還新增了兩款型號(hào)。Trias EX-I TiN Plus HT 專門用于高溫 TiN 沉積，旨在通過降低雜質(zhì)水平獲得更低的接觸電阻薄膜，而 Trias EX-II TiON（氧氮化鈦）提供低漏電流 TiON 薄膜沉積可用于 MIM 電容器電極的形成。所有這些型號(hào)都具有靈活的設(shè)計(jì)，最多可以集成四個(gè)腔室，并且單個(gè)腔室已經(jīng)優(yōu)化了清潔技術(shù)，以實(shí)現(xiàn)高生產(chǎn)率和低 CoC。
