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PMST-3500V SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)

參考價訂貨量

1000

≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號PMST-3500V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2024-08-12
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限2
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量397
  • 人氣值60644
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同類產(chǎn)品

      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測試用科學(xué)儀器的國產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢,廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測試、集成電路測試、高校教學(xué)實訓(xùn)平臺等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認可和應(yīng)用是為數(shù)不多進入國際半導(dǎo)體測試市場供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測試設(shè)備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測試儀表的L跑者邁進。







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產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制 集電極-發(fā)射極 最大電壓3500V
最大電流6000A 漏電流測試范圍1nA~100mA
PMST系列SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計,精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有著越的測量效率、一致性與可靠性
SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng) 產(chǎn)品詳情

隨著行業(yè)技術(shù)革新和新材料性能發(fā)展,功率半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu)朝復(fù)雜化演進,功率半導(dǎo)體的村底材料朝大尺寸和新材料方向發(fā)展。以SiC(碳化硅)、GaN(氮化鎵)為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料迅速發(fā)展,它們通常具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、高遷移率、高飽和電子速度、高電子密度、高溫穩(wěn)定性以及可承受大功率等特點,使其在光電器件、電力電子、射頻微波器件、激光器和探測器等方面展現(xiàn)出巨大的潛力。SiC(碳化硅)和GaN(氮化鎵)電力電子器件也逐漸成為功率半導(dǎo)體器件的重要發(fā)展領(lǐng)城。另外,由于不同結(jié)構(gòu)和不同襯底材料的功奉半導(dǎo)體電學(xué)性能和成本各有差異,在不同應(yīng)用場景各具優(yōu)勢。

功率半導(dǎo)體的生產(chǎn)流程,主要包括設(shè)計驗證、晶圓制造、封裝測試三個主要環(huán)節(jié),其中,每一個生產(chǎn)環(huán)節(jié)又包含若干復(fù)雜的工藝制程。SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)認準普賽斯儀表,專業(yè)人員為您解答




SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)


靜態(tài)特性測試挑戰(zhàn)


隨著半導(dǎo)體制程工藝不斷提升,測試和驗證也變得更加重要。通常,主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動態(tài)特性、開關(guān)特性。靜態(tài)參數(shù)特性主要是表征器件本征特性指標,與工作條件無關(guān)的相關(guān)參數(shù),如很多功率器件的的靜態(tài)直流參數(shù)(如擊穿電壓、漏電流、閾值電壓、跨導(dǎo)、壓降、導(dǎo)通內(nèi)阻)等。


功率半導(dǎo)體器件是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式器件,兼有高輸入阻抗和低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點:同時半導(dǎo)體功率器件的芯片屬于電力電子芯片,需要工作在大電流、高電壓、高頻率的環(huán)境下,對芯片的可靠性要求較高,這給測試帶來了一定的困難。市面上傳統(tǒng)的測量技術(shù)或者儀器儀表一般可以覆蓋器件特性的測試需求,但是寬禁帶半導(dǎo)體器件SiC(碳化硅)或GaN(氮化鎵)的技術(shù)卻極大擴展了高壓、高速的分布區(qū)間。如何精確表征功率器件高流/高壓下的I-V曲線或其它靜態(tài)特性,這就對器件的測試工具提出更為嚴苛的挑戰(zhàn)。



更高精度更高產(chǎn)量


并聯(lián)應(yīng)用要求測試精度提離,確保一致性


終端市場需求量大,要求測試效率提高,UPH提升



更寬泛的測試能力
更寬的測試范圍、更強的測試能力


更大的體二極管導(dǎo)通電壓


更低的比導(dǎo)通電阻


提供更豐富的溫度控制方式



更科學(xué)的測試方法


掃描模式對閾值電壓漂移的影響


高壓低噪聲隔離電源的實現(xiàn)


高壓小電流測量技術(shù)、高壓線性功放的研究


低電感回路實現(xiàn)



柔性化測試能力


兼容多種模塊封裝形式


方便更換測試夾具


靈活配置,滿足不同測試需求



PMST系列SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)是武漢普賽斯正向設(shè)計,精益打造的高精密電壓/電流測試分析系統(tǒng),是一致能夠提供IV,CV、跨導(dǎo)等豐富功能的綜合測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、模塊化設(shè)計、輕松升級擴展等優(yōu)勢,旨在全面滿足從基礎(chǔ)功率二極管、MOSFET.  BJT、 IGBT到寬禁帶半導(dǎo)體SiC、GaN等晶圓、芯片、器件及模塊的靜態(tài)參數(shù)表征和測試,并具有著的測量效率、一致性與可靠性。讓任何工程師使用它都能變成行業(yè)專家。


針對用戶不同測試場景的使用需求,普賽斯全新推出PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)、PMST-MP功率器件靜態(tài)參數(shù)半自動化測試系統(tǒng)、PMST-AP功率器件靜態(tài)參數(shù)全自動化測試系統(tǒng)三款功事器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)。

SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)

從實驗室到小批量、大批量產(chǎn)線的全覆蓋

從Si IGBT. SiC MOS到GaN   HEMT的全國蓋

從晶圓、芯片、器件、模塊到PM的全覆蓋



產(chǎn)品特點


高電壓、大電流


具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)


具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))



高精度測量


納安漏電流,  μΩ級導(dǎo)通電阻


0.1%精度測量


模塊化配置


可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預(yù)留升級空間,后期可添加或升級測量單元



測試效率高


內(nèi)置專用開關(guān)矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元


支持國標全指標的一鍵測試



 擴展性好


支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具


SiC功率半導(dǎo)體器件測試系統(tǒng)



關(guān)鍵詞:儀表 儀器儀表
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