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PMST-3500V SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

參考價(jià)訂貨量

10000

≥1臺(tái)

具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 型號(hào)PMST-3500V
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時(shí)間2024-11-15
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限3
  • 實(shí)名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量420
  • 人氣值70934
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      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導(dǎo)體的性能測(cè)試儀表的開(kāi)發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導(dǎo)體領(lǐng)域從材料、晶圓到器件測(cè)試用科學(xué)儀器的國(guó)產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領(lǐng)X的光學(xué)與光電技術(shù)、微弱信號(hào)處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號(hào)處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺(tái)優(yōu)勢(shì),公司自主研發(fā)了高精度臺(tái)式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國(guó)產(chǎn)化電性能測(cè)試儀表,以及mini LED測(cè)試系統(tǒng)、電流傳感器測(cè)試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測(cè)試精度高、速度快、兼容性強(qiáng)、測(cè)試范圍寬、可靠性高、操作簡(jiǎn)便以及快捷靈活的響應(yīng)式服務(wù)等優(yōu)勢(shì),廣泛應(yīng)用于新型半導(dǎo)體器件材料分析、半導(dǎo)體分立器件測(cè)試、集成電路測(cè)試、高校教學(xué)實(shí)訓(xùn)平臺(tái)等應(yīng)用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動(dòng)程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時(shí)滿足行業(yè)對(duì)測(cè)試效率、測(cè)試精度、供應(yīng)鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國(guó)產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測(cè)量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國(guó)內(nèi)嶺先的半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長(zhǎng)期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴(yán)格的質(zhì)量體系及國(guó)際化視野,推出的產(chǎn)品被國(guó)內(nèi)通信巨投和多家之名半導(dǎo)體企業(yè)認(rèn)可和應(yīng)用,是為數(shù)不多進(jìn)入國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試市場(chǎng)供應(yīng)鏈體系的半導(dǎo)體電性能測(cè)試設(shè)備廠商。未來(lái),公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務(wù)”為宗旨,朝著圈球半導(dǎo)體電性能測(cè)試儀表的L跑者邁進(jìn)。







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SiC功率半導(dǎo)體因優(yōu)勢(shì)成行業(yè)熱點(diǎn),但面臨復(fù)雜應(yīng)力挑戰(zhàn)。性能表征測(cè)試分靜態(tài)和動(dòng)態(tài),要求高。普賽斯提供一站式高精密測(cè)試解決方案,滿足行業(yè)高精度、大范圍測(cè)試需求,具有模塊化設(shè)計(jì),易用且可擴(kuò)展。 SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀 產(chǎn)品詳情


功率半導(dǎo)體應(yīng)用現(xiàn)狀


隨著新能源汽車800V高壓快充技術(shù)的興起,SiC憑借其高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率以及高鍵合能等一系列顯著優(yōu)勢(shì),成為功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競(jìng)相追逐的“風(fēng)口”。在實(shí)際應(yīng)用中,搭載碳化硅功率器件的高壓系統(tǒng)通常能夠在短短十多分鐘內(nèi)將電池電量從10%快速充至80%。然而,SiC功率器件在運(yùn)行時(shí)會(huì)承受復(fù)雜的電-磁-熱-機(jī)械應(yīng)力,其電壓電流能力的提升,開(kāi)關(guān)速度和功率密度的提升,對(duì)器件的性能和可靠性提出了更高的要求。


SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀



   功率半導(dǎo)體器件在使用過(guò)程中可能會(huì)因?yàn)槎嘀匾蛩貙?dǎo)致失效,而這些不同因素所引發(fā)的失效形式也各不相同。因此,對(duì)失效機(jī)理進(jìn)行深入分析以及準(zhǔn)確辨識(shí)缺陷,是提高器件性能的重要前提。

SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

功率半導(dǎo)體性能表征

測(cè)試挑戰(zhàn)


     功率半導(dǎo)體的性能表征(SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀認(rèn)準(zhǔn)武漢普賽斯儀表,最早主要以測(cè)試二極管和三極管等分立器件的DC參數(shù)為主。MOSFET和SiC、GaN       出現(xiàn)后,測(cè)試技術(shù)研究的重點(diǎn)放在 GaN HEMT、SiC    MOS、IGBT單管、PIM(即IGBT模組)等類型的產(chǎn)品上。根據(jù)測(cè)試條件不同,功率器件被測(cè)參數(shù)可分為兩大類:靜態(tài)特性測(cè)試和動(dòng)態(tài)特性測(cè)試。靜態(tài)特性測(cè)試主要是表征器件本征特性指標(biāo),如擊穿電壓V(BR)DSS、漏電流ICES/IDSS/IGES/IGSS、閾值電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs、二極管壓降VF、導(dǎo)通內(nèi)阻RDS(on)等;動(dòng)態(tài)參數(shù)是指器件開(kāi)關(guān)過(guò)程中的相關(guān)參數(shù),這些參數(shù)會(huì)隨著開(kāi)關(guān)條件如母線電壓、工作電流和驅(qū)動(dòng)電阻等因素的改變而變化,如開(kāi)關(guān)特性參數(shù)、體二極管反向恢復(fù)特性參數(shù)及柵極電荷特性參數(shù)等,主要采用雙脈沖測(cè)試進(jìn)行。

     靜態(tài)參數(shù)是動(dòng)態(tài)指標(biāo)的前提,目前功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)特性主要是依據(jù)半導(dǎo)體器件公司提供的Datasheet來(lái)進(jìn)行測(cè)試。然而,功率半導(dǎo)體器件常被應(yīng)用于高速開(kāi)通及關(guān)斷工作狀態(tài)下,器件絕大部分失效機(jī)理都發(fā)生在動(dòng)態(tài)變化過(guò)程中,因此動(dòng)、靜態(tài)參數(shù)的測(cè)試對(duì)功率半導(dǎo)體器件都很重要。此外,以SiC為代表的第三代半導(dǎo)體器件耐壓等級(jí)更高,且經(jīng)過(guò)串/并聯(lián)應(yīng)用于更高電壓/功率等級(jí)的裝備,對(duì)制造過(guò)程各階段的測(cè)試要求也提出了新的挑戰(zhàn):

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SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

靜態(tài)測(cè)試高電流電壓等級(jí)與閾值電壓漂移

    隨著功率半導(dǎo)體器件(如MOSFET、IGBT、SiC    MOS)規(guī)格的不斷提升,靜態(tài)測(cè)試中的電流電壓等級(jí)要求也越來(lái)越高,要求測(cè)試系統(tǒng)必須能夠穩(wěn)定、準(zhǔn)確地提供和測(cè)量高電壓和大電流。同時(shí)還需要在測(cè)試過(guò)程中減少施加應(yīng)力的時(shí)間,以防止器件過(guò)熱損壞。此外,SiC閾值電壓漂移是功率器件測(cè)試過(guò)程中常見(jiàn)的問(wèn)題,閾值電壓漂移會(huì)對(duì)功率器件的開(kāi)關(guān)特性產(chǎn)生影響,可能會(huì)引起器件的誤導(dǎo)通,從而導(dǎo)致器件的損壞。


SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:JEDEC JEP183、CASAS中Sic VGS(th)的測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)


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SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

動(dòng)態(tài)測(cè)試寄生電感與寄生電容的影響

及測(cè)試設(shè)備要求

    在功率半導(dǎo)體器件的動(dòng)態(tài)測(cè)試過(guò)程中,寄生電感和寄生電容對(duì)測(cè)試結(jié)果影響巨大。寄生電感主要來(lái)源于PCB連接線以及器件封裝,而功率器件的電流變化率大,使寄生電感對(duì)測(cè)試結(jié)果也會(huì)產(chǎn)生影響。同時(shí),雙脈沖測(cè)試電路中除了器件的結(jié)電容外,續(xù)流二極管和負(fù)載電感上均存在寄生電容,這兩個(gè)寄生電容對(duì)器件的開(kāi)通過(guò)程有明顯影響。此外,功率器件的開(kāi)關(guān)速度高,要求測(cè)試設(shè)備具有較高的帶寬以準(zhǔn)確采集開(kāi)關(guān)波形的上升沿和下降沿。


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SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

全測(cè)試流程節(jié)點(diǎn)增加

     對(duì)于PIM和IPM等功率模塊,實(shí)際是由單管組合的,單管的良率和質(zhì)量將直接影響模塊的成本和質(zhì)量,為降低模塊的封裝和制造成本,業(yè)內(nèi)已經(jīng)考慮增加測(cè)試節(jié)點(diǎn)和測(cè)試左移,從 CP+FT 測(cè)試,變?yōu)?CP + KGD + DBC +    FT測(cè)試。


SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:功率半導(dǎo)體器件測(cè)試流程節(jié)點(diǎn)

SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

普賽斯功率半導(dǎo)體一站式測(cè)試

解決方案


    為應(yīng)對(duì)行業(yè)對(duì)功率半導(dǎo)體器件的測(cè)試需求,普賽斯儀表以核心源表為基礎(chǔ),正向設(shè)計(jì)、精益打造了一站式高精密電壓-電流的功率半導(dǎo)體電性能測(cè)試解決方案,廣泛適用于從實(shí)驗(yàn)室到小批量、大批量產(chǎn)線的權(quán)方位應(yīng)用。設(shè)備具有高精度與大范圍測(cè)試能力(10kV/6000A)、多元化測(cè)試功能(直流IV/脈沖IV/CV/跨導(dǎo))、高低溫測(cè)試能力(-55℃~250℃),滿足功率半導(dǎo)體行業(yè)對(duì)測(cè)試能力、精度、速度及穩(wěn)定性的高要求。

SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀




SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)




SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:PSS TEST靜態(tài)高低溫半自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)




SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:PMST-MP 靜態(tài)參數(shù)半自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)




SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀

圖:PMST-AP 靜態(tài)參數(shù)全自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)

     精準(zhǔn)始于源頭。普賽斯儀表作為帥先自主研發(fā)、國(guó)內(nèi)手家將高精密源/測(cè)量單元SMU產(chǎn)業(yè)化的企業(yè),經(jīng)過(guò)長(zhǎng)期深入的研發(fā)應(yīng)用,已經(jīng)掌握了源測(cè)量單元的邏輯與算法,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性與可靠性。PMST功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)系列產(chǎn)品采用模塊化的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu),集成自主研發(fā)的高壓測(cè)試單元、大電流測(cè)試單元、小功率測(cè)試單元,為用戶后續(xù)靈活添加或升級(jí)測(cè)量模塊以適應(yīng)不斷變化的測(cè)量需求,提供了極大便捷和蕞優(yōu)性價(jià)比,具有高度易用性和可擴(kuò)展性,任何工程師都能快速掌握并使用。

目前,普賽斯儀表功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)已經(jīng)銷往全國(guó)并出口海外,被國(guó)內(nèi)外多家半導(dǎo)體頭部企業(yè)認(rèn)可。我們堅(jiān)信,通過(guò)持續(xù)的技術(shù)研發(fā)與國(guó)際合作,秉持創(chuàng)新印領(lǐng)、質(zhì)量為先的理念,不斷突破技術(shù)壁壘,優(yōu)化產(chǎn)品性能,未來(lái)普賽斯儀表將為全球客戶提供更加精準(zhǔn)、高效、可靠的功率半導(dǎo)體測(cè)試解決方案。SiC GaN三代半功率器件參數(shù)分析儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢



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