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SPA-6100 單管igbt測試設備參數(shù)分析儀

參考價訂貨量

1000

≥1臺

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號SPA-6100
  • 品牌普賽斯儀表
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2024-06-26
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限2
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量396
  • 人氣值60466
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同類產(chǎn)品

      武漢普賽斯儀表有限公司是武漢普賽斯電子技術(shù)有限公司的全資子公司,一直專注于半導體的性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)銷售,致力于滿足半導體領域從材料、晶圓到器件測試用科學儀器的國產(chǎn)替代需求。

      基于普賽斯電子領X的光學與光電技術(shù)、微弱信號處理與抗干擾技術(shù)、高速數(shù)字信號處理、核心算法與系統(tǒng)集成等技術(shù)平臺優(yōu)勢,公司自主研發(fā)了高精度臺式數(shù)字源表、脈沖式源表、窄脈沖電流源、集成插卡式源表、高精度超大電流源、高精度高壓電源、數(shù)據(jù)采集卡等國產(chǎn)化電性能測試儀表,以及mini LED測試系統(tǒng)、電流傳感器測試系統(tǒng)、功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)等。產(chǎn)品以其測試精度高、速度快、兼容性強、測試范圍寬、可靠性高、操作簡便以及快捷靈活的響應式服務等優(yōu)勢,廣泛應用于新型半導體器件材料分析、半導體分立器件測試、集成電路測試、高校教學實訓平臺等應用;為客戶提供模塊化硬件、高效驅(qū)動程序和高效算法軟件組合,幫助用戶構(gòu)建自定義解決方案,同時滿足行業(yè)對測試效率、測試精度、供應鏈安全以及規(guī)?;奶魬?zhàn)。

      普賽斯儀表自主研制的國產(chǎn)化數(shù)字源表,可作為電壓源和或電流源并同步測量電流和或電壓,支持四象限工作。作為國內(nèi)嶺先的半導體電性能測試儀表提供商,普賽斯儀表憑借長期的技術(shù)創(chuàng)新、精益的生產(chǎn)制造、嚴格的質(zhì)量體系及國際化視野,推出的產(chǎn)品被國內(nèi)通信巨投和多家之名半導體企業(yè)認可和應用,是為數(shù)不多進入國際半導體測試市場供應鏈體系的半導體電性能測試設備廠商。未來,公司將繼續(xù)以“為客戶提供醉優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品與Z貼心的服務”為宗旨,朝著圈球半導體電性能測試儀表的L跑者邁進。







點擊展示更多內(nèi)容
產(chǎn)地國產(chǎn) 加工定制 尺寸580mm長*620mm寬*680mm高
測試范圍30μV-1200V;1pA-100A 輸入電源220V 50/60Hz
SPA-6100單管igbt測試設備參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進工藝的開發(fā),具有桌越的測量效率與可靠性。
單管igbt測試設備參數(shù)分析儀 產(chǎn)品詳情

SPA-6100單管igbt測試設備參數(shù)分析儀是武漢普賽斯自主研發(fā)、精益打造的一款半導體電學特性測試系統(tǒng),具有高精度、寬測量范圍、快速靈活、兼容性強等優(yōu)勢。產(chǎn)品可以同時支持DC電流-電壓(I-V)、電容-電壓(C-V)以及高流高壓下脈沖式I-V特性的測試,旨在幫助加快前沿材料研究、半導體芯片器件設計以及先進工藝的開發(fā),具有桌越的測量效率與可靠性。

基于模塊化的體系結(jié)構(gòu)設計,SPA-6100半導體參數(shù)分析儀可以幫助用戶根據(jù)測試需要,靈活選配測量單元進行升級。產(chǎn)品支持Z高1200V電壓、100A大電流、1pA小電流分辨率的測量,同時檢測10kHz至1MHz范圍內(nèi)的多頻AC電容測量。SPA-6100半導體參數(shù)分析儀搭載普賽斯自主開發(fā)的專用半導體參數(shù)測試軟件,支持交互式手動操作或結(jié)合探針臺的自動操作,能夠從測量設置、執(zhí)行、結(jié)果分析到數(shù)據(jù)管理的整個過程,實現(xiàn)高效和可重復的器件表征;也可與高低溫箱、溫控模塊等搭配使用,滿足高低溫測試需求。

單管igbt測試設備參數(shù)分析儀

產(chǎn)品特點:

30μV-1200V;1pA-100A寬量程測試能力;

測量精度高,全量程下可達0.03%精度;

內(nèi)置標準器件測試程序,直接調(diào)用測試簡便;

自動實時參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);

在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強;

免費提供上位機軟件及SCPI指令集;

典型應用:

納米、柔性等材料特性分析;

二極管;

MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;

第三代半導體材料/器件;

有機OFET器件;

LED、OLED、光電器件;

半導體電阻式等傳感器;

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;

電阻率系數(shù)和霍爾效應測量;

太陽能電池;

非易失性存儲設備;

失效分析;


系統(tǒng)技術(shù)規(guī)格

單管igbt測試設備參數(shù)分析儀


單管igbt測試設備參數(shù)分析儀訂貨信息



模塊化構(gòu)成:

低壓直流I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選
-最小電流分辨率10pA
-四象限工作區(qū)間
-支持二線,四線制測試模式
-支持GUARD保護


低壓脈沖I-V源測量單元

-精度0.1%或0.03%可選
-直流、脈沖工作模式
-Z大電壓300V,Z大直流1A或3A可選,Z大脈沖電流10A或30A可選
-最小電流分辨率1pA
-最小脈寬200μs
-四象限工作區(qū)間.
-支持二線,四線制測試模式
-支持GUARD保護


高壓I-V源測量單元
-精度0.1%    
-Z大電壓1200V,Z大直流100mA

-最小電流分辨率100pA
-一、三象限工作區(qū)間
-支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護


高流I-V源測量單元

-精度0.1%
-直流、脈沖工作模式.
-Z大電壓100V,Z大直流30A,Z大脈沖電流100A
-最小電流分辨率10pA

-最小脈寬80μs
-四象限工作區(qū)間
支持二線、四線制測試模式
-支持GUARD保護


電壓電容C-V測量單元

-基本精度0.5%
-測試頻率10hZ~1MHz,可選配至10MHz
-支持高壓DC偏置,Z大偏置電壓1200V
-多功能AC性能測試,C-V、 C-f、 C-t


硬件指標-IV測試

半導體材料以及器件的參數(shù)表征,往往包括電特性參數(shù)測試。絕大多數(shù)半導體材料以及器件的參數(shù)測試,都包括電流-電壓(I-V)測量。源測量單元(SMU),具有四象限,多量程,支持
四線測量等功能,可用于輸出與檢測高精度、微弱電信號,是半導體|-V特性測試的重要工具之-。SPA-6100配置有多種不同規(guī)格的SMU,如低壓直流SMU,低壓脈沖SMU,大電流SMU。用戶可根據(jù)測試需求靈活配置不同規(guī)格,以及不同數(shù)量的搭配,實現(xiàn)測試測試效率與開支的平衡。


靈活可定制化的夾具方案

   針對市面上不同封裝類型的半導體器件產(chǎn)品,普賽斯提供整套夾具解決方案。夾具具有低阻抗、安裝簡單、種類豐富等特點,可
用于二極管、三極管、場效應晶體管、IGBT、SiC  MOS、GaN等單管,模組類產(chǎn)品的測試;也可與探針臺連接,實現(xiàn)晶圓級芯片
測試。

單管igbt測試設備參數(shù)分析儀

探針臺連接示意圖

單管igbt測試設備參數(shù)分析儀

武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導體的電性能測試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品,專注于第三代半導體測試,提供從材料、晶圓、器件的全系列解決方案。

未來,普賽斯儀表基于國產(chǎn)化高精度數(shù)字源表(SMU)的測試方案,以更優(yōu)的測試能力、更準確的測量結(jié)果、更高的可靠性與更全面的測試能力,聯(lián)合更多行業(yè)客戶,共同助力我國第三代半導體行業(yè)高可靠高質(zhì)量發(fā)展。


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