普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案,為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段,實現(xiàn)功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、高效率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產(chǎn)化高精度源表感興趣,歡迎隨時聯(lián)系我們!
半導(dǎo)體參數(shù)CV+IV測試儀特點:
30μV-1200V,1pA-100A寬量程測試能力;
測量精度高,全量程下可達(dá)0.03%精度;
內(nèi)置標(biāo)準(zhǔn)器件測試程序,直接調(diào)用測試簡便;
自動實時參數(shù)提取,數(shù)據(jù)繪圖、分析函數(shù);
在CV和IV測量之間快速切換而無需重新布線;
提供靈活的夾具定制方案,兼容性強;
免費提供上位機(jī)軟件及SCPI指令集;
典型應(yīng)用:
納米、柔性等材料特性分析;
二極管;
MOSFET、BJT、晶體管、IGBT;
第三代半導(dǎo)體材料/器件;
有機(jī)OFET器件;
LED、OLED、光電器件;
半導(dǎo)體電阻式等傳感器;
EEL、VCSEL、PD、APD等激光二極管;
電阻率系數(shù)和霍爾效應(yīng)測量;
太陽能電池;
非易失性存儲設(shè)備;
失效分析;
半導(dǎo)體參數(shù)CV+IV測試儀訂貨信息