關(guān)鍵詞: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金剛石、微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
CVD金剛石合成設(shè)備、納米晶金剛石、超納米晶金剛石、UNCD、NCD、MCD、
Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
超高 純度單晶、半導(dǎo)體、 摻雜、B-doping、N-doping、藍(lán)鉆、 粉鉆、黃鉆
型號：BJS150， 產(chǎn)地：歐洲
主要技術(shù)指標(biāo)：
微波發(fā)生器：6 KW, 2.45GHz，脈沖功率模式可選
Ripple 2% at full power,
stability 1% at full power.
鐘罩型腔體：非常適合生長單晶和摻雜。
支持高功率密度等離子體
工藝氣壓：高達(dá)300mbar或更高
生長速率：高達(dá)50μm/h
氣 路：4條基本氣路，分別為H2, O2, CH4, Ar;
可以最多增加額外3條氣路
樣 品 臺：適合兩英寸襯底，高度精密可調(diào)，襯底旋轉(zhuǎn)可選
溫度測試：采用雙色紅外高溫計，范圍475℃-1475℃
精度 ≤±10℃。
真空系統(tǒng)：采用分子泵+干泵
真空度≤5×10-7mbar
漏率 ≤10-9 mbar/l/s.
控制系統(tǒng)：配套有全自動控制系統(tǒng)、工業(yè)電腦、必要的數(shù)據(jù)接口及操作軟件；
支持多級用戶權(quán)限設(shè)置和多用戶管理，系統(tǒng)支持設(shè)備的遠(yuǎn)程操作和維護(hù)；
系統(tǒng)含故障報警及定位功能，能及時提示相應(yīng)故障部件。
支持半自動和手動操作模式。
設(shè)備應(yīng)用：具備多種用途，以滿足用戶科研需要；
適合生長雜質(zhì)濃度低于1ppb的超高純度單晶，且有大量專業(yè)科技文獻(xiàn)佐證；
適合金剛石摻雜（硼、磷等）研究及光學(xué)級多晶窗口生長。
工藝培訓(xùn)：原廠工程師現(xiàn)場演示金剛石生長，包括種子選擇、種子預(yù)處理、
種子的固定及生長工藝等培訓(xùn)，并現(xiàn)場演示單晶生長；
原廠需具有高水平和豐富的金剛石生長工藝經(jīng)驗。
