關(guān)鍵詞: MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金剛石、微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)
CVD金剛石合成設(shè)備、納米晶金剛石、超納米晶金剛石、UNCD、NCD、MCD、
Microwave Plasma Assited/Enhanced Chemical Vapor Deposition System
微波等離子體化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)用于沉積納米晶金剛石，設(shè)備特點(diǎn)概述如下：
適用范圍：生長(zhǎng)大面積金剛石薄膜(4-8英寸，甚至更大)
生長(zhǎng)速度：可高達(dá)several μm/h，甚至更高；
生長(zhǎng)范圍：可在直徑100mm范圍內(nèi)生長(zhǎng)、或者在直徑200mm范圍內(nèi)生長(zhǎng)。
晶粒大?。撼{米晶、納米晶、微米晶
研究及小規(guī)模生產(chǎn)型：
功率：2.45GHz，6KW；
加熱襯底：3’’-4’’ diameter, 襯底旋轉(zhuǎn)、偏壓電極可選；
真空泵：機(jī)械泵（油泵或干泵），TMP可選；
氣路：CH4，H2，Ar; 更多可選.
控制方式：半自動(dòng)或全自動(dòng)；
生長(zhǎng)速率：可達(dá)5μm/h
整體特點(diǎn)：用于MEMS領(lǐng)域
大規(guī)模大面積生產(chǎn)研發(fā)型：
微波功率：915MHz，35KW；
襯底：直徑200mm或更大; 襯底加熱或旋轉(zhuǎn)可選（或多個(gè)襯底旋轉(zhuǎn)機(jī)構(gòu)）；偏壓可選
真空系統(tǒng)：油泵或干泵+TMP；
控制系統(tǒng)：全自動(dòng)控制；
工藝氣路：CH4，H2，Ar;更多可選；
生長(zhǎng)速率：5μm/h，更高可能
襯底材料：請(qǐng)咨詢我們！
整體特點(diǎn)：專門大面積納米晶、超納米晶金剛石薄膜研究及生產(chǎn)配置；可獲得4’’-8’’wafer，可用于MEMS領(lǐng)域.
