ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)

一、 概述

向半導體的接合部施加較大的反向衰減偏壓時，電場衰減電流的流動會引起雪崩衰減，此時元件可吸收的能量稱為雪崩耐量，表示施加電壓時的抗擊穿性。對于那些在元件兩端產(chǎn)生較大尖峰電壓的應用場合，就要考慮器件的雪崩能量，電壓尖峰所集中的能量主要由電感和電流所決定，因此對于反激的應用場合，電路關斷時會產(chǎn)生較大的電壓尖峰。通常的情況下，功率器件都會降額，從而留有足夠的電壓余量，但是一些電源在輸出短路時，初級會產(chǎn)生較大的電流，加上初級電感，器件就會有雪崩損壞的可能，因此在這樣的應用條件下，就要考慮器件的雪崩能量。另外，由于一些電機的負載是感性負載，而啟動和堵轉過程中會產(chǎn)生*的沖擊電流，因此也要考慮器件的雪崩能量。

ENX2020雪崩耐量測試儀是本公司研發(fā)設計的測試IGBT、MOSFET、二極管雪崩耐量的專業(yè)測試設備，能夠準確快速的測試出IGBT、MOSFET、、二極管的雪崩耐量。

ENX2020  雪崩耐量測試系統(tǒng)，該設備包括：可控直流電源、可選電感、電流傳感器、電壓傳感器、雪崩保護電壓、IGBT、MOSFET、二極管等功率型器件、IGBT、MOSFET、二極管功率型器件保護電路、計算機控制系統(tǒng)、雪崩電壓采集系統(tǒng)、雪崩電流采集系統(tǒng)、測試夾具、測試標準適配器、外接測試端口（根據(jù)客戶需求）等多個部分。

二、 使用要求

l 進線電壓：AC220V±10%

l 電壓頻率：50Hz±1Hz

l 功率消耗：1.5KW（zui大功率）

l 環(huán)境溫度：10～50℃

l 工作濕度：溫度不高于+30℃時，相對濕度5%-80%。

溫度+30℃到+50℃時相對濕度5%-45%，無冷凝。

l 大氣壓力： 86Kpa～106Kpa

l 海拔高度：不超過3000米。

三、 技術指標

l 電源電壓：10-400V

l 保護電壓：100-5000V

l 雪崩能量：實測

l 雪崩電流：0.01A-200A

l 電感：10mH、20mH、40mH、100mH

l 電壓波形：方波

l 脈沖寬度：100uS-800mS

l 測試頻率：單次

四、 計算機功能介紹

計算機控制系統(tǒng)是該設備的中心控制單元。計算機采用的是研華工業(yè)控制機，機箱為610H型，抗電磁*力強，排風量大等特點。該套系統(tǒng)包括計算機、NI6221數(shù)據(jù)采集卡、USB5133波形采集卡、數(shù)字電路隔離、高速脈沖隔離、模擬隔離、電壓采樣、電流采樣。

1. NI6221數(shù)據(jù)采集卡主要功能控制機械運行，電容充放電和主要功率器件觸發(fā)。

2. USB5133是用來將被試元件兩端測試電壓電流采樣送給計算機，用來計算和顯示測試波形及數(shù)據(jù)。

3. 數(shù)字隔離板：計算機輸出信號經(jīng)過光耦隔離后在進行放大用來驅動電磁閥和繼電器來完成自動控制。

4. 高速脈沖隔離：計算機輸出信號經(jīng)過高速光耦隔離后在放大用來驅動功率型器件的觸發(fā)來完成測試。

5. 模擬隔離：計算機輸出信號經(jīng)過模擬隔離集成塊ISO124后來控制電源電壓和保護電壓幅值。

6. 電壓采樣：將元件雪崩后兩端電壓采樣送到波形采集卡NI5133。

7. 電流采樣：將元件雪崩后流過的電流送到波形采集卡NI5133。

8. NI PCI6221端口功能介紹：

P1.0-選通10mH電感

P1.1-選通20mH電感

P1.2-選通40mH電感

P1.6-保護電壓換擋

P1.7-開始測試

P0.0-IGBT、IGBT、IGBT、IGBT、MOSFET、、、二次觸發(fā)

P0.1-檢測被試元件短路

P2.0-檢測準備好

P2.1-檢測故障

CTR0-測試脈沖

AO1-保護電壓設定

A00-電源電壓設定

CH0-電壓采集

CH1-電流采集

PFI-1