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電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀
電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀測(cè)量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測(cè)試點(diǎn)自動(dòng)設(shè)定,諧振點(diǎn)自動(dòng)搜索,Q值量程自動(dòng)轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進(jìn)了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測(cè)試回...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2018/4/18 12:04:32
對(duì)比
電容率測(cè)試介質(zhì)損耗介電常數(shù)絕緣材料測(cè)量
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購(gòu)買(mǎi) 塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀
塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀本電極的設(shè)計(jì)主要是參照國(guó)標(biāo)GB1409。本電極采用的是三電極式結(jié)構(gòu),能有效的消除表面漏電流的影響,使測(cè)量電極下的電場(chǎng)趨于均勻電場(chǎng)。
型號(hào): GOAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2018/4/6 16:30:33
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試介質(zhì)損耗測(cè)試塑料材料測(cè)試音頻介電常數(shù)
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介質(zhì)損耗自動(dòng)測(cè)試儀
介質(zhì)損耗自動(dòng)測(cè)試儀VFD顯示 采用新穎的大屏幕VFD點(diǎn)陣顯示器,在嚴(yán)冬和盛夏都能清晰顯示。全中文操作菜單,操作提示各種警告信息,直觀明了,不需查閱說(shuō)明書(shū)即可操作...
型號(hào): GOAT-A
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2018/4/4 9:55:07
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試介電常數(shù)測(cè)試介電常數(shù)自動(dòng)測(cè)試絕緣材料介電常數(shù)
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絕緣材料介質(zhì)損耗量測(cè)試儀
絕緣材料介質(zhì)損耗量測(cè)試儀使用中電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線(xiàn)的特性阻抗等。...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/12/10 22:53:50
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)耗損量試驗(yàn)儀工頻介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀高頻介電常數(shù)檢測(cè)儀
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介質(zhì)損耗量測(cè)試儀
介質(zhì)損耗量測(cè)試儀 能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/12/10 22:43:39
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀材料介質(zhì)損耗量試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗檢測(cè)儀介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀工頻介電常數(shù)試驗(yàn)儀
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塑料介質(zhì)耗損量測(cè)試儀
塑料介質(zhì)耗損量測(cè)試儀 能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,...
型號(hào):
所在地:北京市
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面議更新時(shí)間:2017/12/4 1:41:09
對(duì)比
介電常數(shù)試驗(yàn)儀介質(zhì)耗損量檢測(cè)儀紙工頻介電常數(shù)試驗(yàn)儀介質(zhì)耗損量檢測(cè)儀塑料材料介電常數(shù)測(cè)試儀
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介質(zhì)耗損因數(shù)測(cè)試儀
介質(zhì)耗損因數(shù)測(cè)試儀 能在較高的測(cè)試頻率條件下,測(cè)量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高...
型號(hào):
所在地:北京市
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面議更新時(shí)間:2017/8/24 15:27:13
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)耗損試驗(yàn)儀高頻介電常數(shù)測(cè)試儀工頻介電常數(shù)檢測(cè)儀材料介電常數(shù)測(cè)試儀
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GDAT-B型高壓電容電橋檢測(cè)儀
GDAT-B高壓電容電橋檢測(cè)儀主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。
型號(hào): GDAT-B
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/7/20 14:23:51
對(duì)比
介質(zhì)耗損測(cè)試儀高壓電容電橋檢測(cè)儀介電常數(shù)試驗(yàn)儀
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薄膜工頻介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀
本儀器既可測(cè)量高電阻,又可測(cè)微電流。采用了美國(guó)In公司的大規(guī)模集成電路,使儀器體積小、重量輕、準(zhǔn)確度高。數(shù)字液晶直接顯示電阻值和電流。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/7/19 16:47:30
對(duì)比
薄膜工頻介電常數(shù)介電常數(shù)測(cè)試儀薄膜工頻介質(zhì)損耗介電常數(shù)介質(zhì)損耗
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀(*)
主要技術(shù)特性 Q 值測(cè)量范圍 2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔固有誤差 ≤ 5 % &plus...
型號(hào): GBT 1409-...
所在地:北京市
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面議更新時(shí)間:2017/6/2 21:34:40
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介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀
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薄膜工頻介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀
主要用于測(cè)量高壓工業(yè)絕緣材料的介質(zhì)損失角的正切值及電容量。其采用了西林電橋的經(jīng)典線(xiàn)路。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2017/3/8 22:03:50
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介損測(cè)試儀
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介電常數(shù)測(cè)試儀/介質(zhì)損耗測(cè)試儀
空洞共振腔適用于CCL/印刷線(xiàn)路板,薄膜等非破壞性低介電損耗材料量測(cè)。 印電路板主要由玻纖與環(huán)氧樹(shù)脂組成的, 玻纖介電常數(shù)為5~6, 樹(shù)脂大約是3, 由于樹(shù)脂含...
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/11/25 19:21:46
對(duì)比
介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀
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北廣介電常數(shù)測(cè)試儀
我公司生產(chǎn)介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀,如需請(qǐng)致電詳談。
型號(hào):
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2016/9/18 7:29:11
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀
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介質(zhì)損耗因數(shù)測(cè)試儀,介電常數(shù)試驗(yàn)儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): gdat-a
所在地:北京市
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面議更新時(shí)間:2016/7/26 22:56:11
對(duì)比
介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀介質(zhì)損耗因數(shù)試驗(yàn)儀
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介電常數(shù)及介質(zhì)損耗測(cè)試儀
介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀滿(mǎn)足標(biāo)準(zhǔn):GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長(zhǎng)在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法
型號(hào): gdat-a
所在地:北京市
參考價(jià):
面議更新時(shí)間:2015/12/6 5:56:48
對(duì)比
介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀介電常數(shù)測(cè)試儀介質(zhì)損耗測(cè)試儀