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介質(zhì)耗損因數(shù)測試儀

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更新時間:2017-08-24 15:27:13瀏覽次數(shù):488次

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介質(zhì)耗損因數(shù)測試儀 能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

產(chǎn)品名稱:介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀

產(chǎn)品型號:GDAT-A

顯示方式:液晶顯示

產(chǎn)品用途:絕緣材料介質(zhì)耗損因數(shù)的測試

 

介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀 技術(shù)特性:

1.Q 值測量范圍  2 ~ 1023 , 量程分檔: 30 、 100 、 300 、 1000 ,自動換檔或手動換檔 2.固有誤差  ≤ 5 % ± 滿度值的 2 %( 200kHz ~ 10MHz ), ≤6% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
3.工作誤差  ≤7% ± 滿度值的2% ( 200kHz ~ 10MHz ), ≤8% ± 滿度值的2%(10MHz~160MHz)  
4.電感測量范圍  4.5nH ~ 140mH  
5.電容直接測量范圍  1 ~ 200pF  
6.主電容調(diào)節(jié)范圍  18 ~ 220pF  
7.主電容調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度  100pF 以下 ± 1pF ; 100pF 以上 ± 1 %  
8.信號源頻率覆蓋范圍  100kHz ~ 160MHz  
9.頻率分段 ( 虛擬 )  100 ~ 999.999kHz , 1 ~ 9.99999MHz,10 ~ 99.9999MHz , 100 ~ 160MHz  
10.頻率指示誤差  3 × 10 -5 ± 1 個字  

11.搭配了全新的介質(zhì)損耗裝置與GDAT系列q表搭配使用。

 

介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀產(chǎn)品概述:

1.介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀是各種電瓷、裝置瓷、電容器等陶瓷,還有復(fù)合材料等的一項重要的物理性質(zhì),通過測定介質(zhì)損耗角正切tanδ及介電常數(shù)(ε),可進一步了解影響介質(zhì)損耗和介電常數(shù)的各種因素,為提高材料的性能提供依據(jù);儀器的基本原理是采用高頻諧振法,并提供了,通用、多用途、多量程的阻抗測試。

2.介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀以單片計算機作為儀器的控制,測量核心采用了頻率數(shù)字鎖定,標(biāo)準(zhǔn)頻率測試點自動設(shè)定,諧振點自動搜索,Q值量程自動轉(zhuǎn)換,數(shù)值顯示等新技術(shù),改進了調(diào)諧回路,使得調(diào)諧測試回路的殘余電感減至低,并保留了原Q表中自動穩(wěn)幅等技術(shù),使得新儀器在使用時更為方便,測量值更為精確。

3.介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀能在較高的測試頻率條件下,測量高頻電感或諧振回路的Q值,電感器的電感量和分布電容量,電容器的電容量和損耗角正切值,電工材料的高頻介質(zhì)損耗,高頻回路有效并聯(lián)及串聯(lián)電阻,傳輸線的特性阻抗等。

4.介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀用于科研機關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對無機非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。

 

介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀滿足標(biāo)準(zhǔn):

GBT 1409-2006測量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻(包括米波波長在內(nèi))下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的*方法。

 

介質(zhì)耗損因數(shù)試驗儀特點:

1.雙掃描技術(shù) - 測試頻率和調(diào)諧電容的雙掃描、自動調(diào)諧搜索功能。 
2.雙測試要素輸入 - 測試頻率及調(diào)諧電容值皆可通過數(shù)字按鍵輸入。 
3.雙數(shù)碼化調(diào)諧 - 數(shù)碼化頻率調(diào)諧,數(shù)碼化電容調(diào)諧。 
4.自動化測量技術(shù) -對測試件實施 Q 值、諧振點頻率和電容的自動測量。 
5.全參數(shù)液晶顯示 – 數(shù)字顯示主調(diào)電容、電感、 Q 值、信號源頻率、諧振指針。 
6.DDS 數(shù)字直接合成的信號源 -確保信源的高葆真,頻率的高精確、幅度的高穩(wěn)定。 
7.計算機自動修正技術(shù)和測試回路優(yōu)化 —使測試回路 殘余電感減至低,** Q 讀數(shù)值在不同頻率時要加以修正的困惑。 
8.gdat高頻Q表的創(chuàng)新設(shè)計,無疑為高頻元器件的阻抗測量提供了*的解決方案,它給從事高頻電子設(shè)計的工程師、科研人員、高校實驗室和電子制造業(yè)提供了更為方便的檢測工具,測量值更為精確,測量效率更高。使用者能在儀器給出的任何頻率、任意點調(diào)諧電容值下檢測器件的品質(zhì),無須關(guān)注量程和換算單位。 

 

BD916介質(zhì)損耗測試裝置技術(shù)特性 

1.平板電容器: 極片尺寸:Φ50mm/Φ38mm 可選  
              極片間距可調(diào)范圍:≥15mm 
2. 夾具插頭間距:25mm±0.01mm 
3. 夾具損耗正切值≤4×10-4 (1MHz) 
4.測微桿分辨率:0.001mm
 
電感:
 
線圈號     測試頻率      Q值     分布電容p      電感值  
  9         100KHz      98       9.4           25mH
  8         400KHz     138       11.4        4.87mH
  7         400KHz    202       16           0.99mH
  6           1MHz     196       13          252μH
  5           2MHz     198       8.7        49.8μH
  4         4.5MHz    231       7             10μH 
  3          12MHz      193     6.9         2.49μH
  2          12MHz      229     6.4        0.508μH
  1   25MHz,50MHz   233,211    0.9       0.125μH

 

 

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