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武漢普賽斯電子股份有限公司
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雙溫載臺(tái)(單針)芯片測(cè)試機(jī)

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產(chǎn)品型號(hào)

品       牌

廠商性質(zhì)其他

所  在  地武漢市

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更新時(shí)間:2025-02-05 07:08:43瀏覽次數(shù):64次

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本設(shè)備應(yīng)用于可見光CHIP常溫PIV測(cè)試、光譜測(cè)試并對(duì)不同測(cè)試結(jié)果進(jìn)行歸類分檔篩選。芯片藍(lán)膜上料,自動(dòng)尋料、識(shí)別定位,通過藍(lán)膜頂針剝離芯片、吸嘴吸取、機(jī)械手完成搬運(yùn),視覺識(shí)別并校準(zhǔn)位置、自動(dòng)加電收集發(fā)光參數(shù)、測(cè)試PIV/光譜、分析篩選、機(jī)械手搬運(yùn)分檔到不同藍(lán)膜檔位。此設(shè)備具有高速、高精度特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜時(shí)序、嚴(yán)密邏輯的工藝過程。設(shè)備采用了直線電機(jī)、高精度模組運(yùn)動(dòng)、凸輪等機(jī)構(gòu),配合多軸運(yùn)動(dòng)、視覺定位......
    • 商品名稱: 雙溫載臺(tái)(單針)芯片測(cè)試機(jī)
    • 型號(hào): PSS CHIP22404-P系列
    • 描述: 兼容DC、Pulse加電

    本設(shè)備應(yīng)用于可見光CHIP常溫PIV測(cè)試、光譜測(cè)試并對(duì)不同測(cè)試結(jié)果進(jìn)行歸類分檔篩選。芯片藍(lán)膜上料,自動(dòng)尋料、識(shí)別定位,通過藍(lán)膜頂針剝離芯片、吸嘴吸取、機(jī)械手完成搬運(yùn),視覺識(shí)別并校準(zhǔn)位置、自動(dòng)加電收集發(fā)光參數(shù)、測(cè)試PIV/光譜、分析篩選、機(jī)械手搬運(yùn)分檔到不同藍(lán)膜檔位。 此設(shè)備具有高速、高精度特點(diǎn),實(shí)現(xiàn)了復(fù)雜時(shí)序、嚴(yán)密邏輯的工藝過程。設(shè)備采用了直線電機(jī)、高精度模組運(yùn)動(dòng)、凸輪等機(jī)構(gòu),配合多軸運(yùn)動(dòng)、視覺定位、ORC識(shí)別等技術(shù),具有批量生產(chǎn)能力。

    產(chǎn)品應(yīng)用

    • 設(shè)備用于可見光裸chip自動(dòng)測(cè)試分bin,可以實(shí)現(xiàn)常溫、高溫條件下邊發(fā)射芯片的光譜、LIV參數(shù)測(cè)試

  • 產(chǎn)品特點(diǎn)

    • 支持Chip的LIV、光譜相關(guān)參數(shù)的測(cè)試、繪制測(cè)試曲線

     

     

    • 芯片藍(lán)膜自動(dòng)上料,通過視覺系統(tǒng)自動(dòng)識(shí)別芯片ID,測(cè)試臺(tái)支持芯片在相機(jī)下自動(dòng)二次定位,精準(zhǔn)控制探針加電測(cè)試

     

     

    • 探針自動(dòng)下壓加電,探針下壓力度可調(diào),支持探針力度實(shí)時(shí)顯示

    • 下料配置8個(gè)藍(lán)膜盤、4個(gè)2寸GelPak盒

     

     

    • 拾取搬運(yùn)機(jī)構(gòu)(上料吸嘴、下料吸嘴組成,搬運(yùn)軸采用高精度直線電機(jī)控制),穩(wěn)定性好,運(yùn)動(dòng)精度高

     

     

    • 可實(shí)現(xiàn)小功率測(cè)試和大功率測(cè)試:小功率測(cè)試系統(tǒng)(風(fēng)冷+TEC控溫;1寸積分球收光,測(cè)PIV、光譜),(預(yù)留)大功率測(cè)試系統(tǒng)(水冷+TEC控溫;3寸積分球收光,測(cè)PIV、光譜)

     

  • 參 數(shù)

    指 標(biāo)

    適合芯片尺寸

    腔長(zhǎng)L x 寬W : 200-2000 μm x 120-300 μm

    其他尺寸可定制測(cè)試載臺(tái)

    儀表型號(hào)

    吉時(shí)利(Keithley)2601B-PULSE

    測(cè)量參數(shù)

    LIV曲線,Ith,Po,Vf,Im,Rs,SE,Kink等

    LD驅(qū)動(dòng)電流

    小功率芯片范圍0 ~ 300mA,精度0.1%FS±0.5mA

    大功率芯片范圍0 ~ 5A,精度0.1%FS±5mA

    電流模式

    CW/Pulse

    P-I-V

    Pulse 0.1ms (ON) Duty1%

    正向電壓測(cè)試

    小功率芯片范圍0 ~ 15.0V,精度0.1% FS±50mV

    大功率芯片范圍0 ~ 10.0V,精度0.1% FS±50mV

    反向電流測(cè)試

    0 ~ 100nA,精度1% FS±1.0nA,@<50%RH

    0 ~ 1uA,精度0.1% FS±10nA,@<50%RH

    0 ~ 10uA,精度0.1% FS±0.1uA,@<50%RH

    0 ~ 100uA,精度0.1% FS±1uA,@<50%RH

    0 ~ 1mA,精度0.1% FS±10uA,@<50%RH

    反向電壓測(cè)試

    范圍0 ~ 30.0V,精度0.1% FS±0.3V

    光功率測(cè)試

    小功率芯片測(cè)試范圍0-300mW;精度0.1% FS±50uW;波長(zhǎng)范圍380-700nm

    大功率芯片測(cè)試范圍0-10W;精度0.1% FS±10mW;波長(zhǎng)范圍380-700nm

    溫度控制

    常溫:20~85℃;穩(wěn)定性≤ ±0.5℃

    設(shè)備尺寸

    展開尺寸:2050mm×1800mm×2090mm(L×W×H)

    氣源要求

    正壓:>0.6MPa     負(fù)壓:<-80KPa

    電源

    AC 220V/8A 50Hz

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