反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備
Reactive Ion Etching - RIE
SI 591 反應(yīng)離子刻蝕設(shè)備是 SENTECH 設(shè)計(jì)的緊湊型模塊化刻蝕設(shè)備，具有高靈活性，適用于化合物半導(dǎo)體、聚合物、介質(zhì)、金屬和硅工藝刻蝕，可配置單反應(yīng)腔體或帶預(yù)真空室和片盒站的多腔系統(tǒng)，也可以升級(jí)到 CVD Cluster中。帶預(yù)真空室的設(shè)備支持使用氯基氣體。
基于SI 591反應(yīng)離子刻蝕的CVD Cluster
設(shè)備主要特點(diǎn)
● 工藝靈活，功能齊全：SI 591等離子體刻蝕設(shè)備配備高真空抽氣系統(tǒng)，可適用于氯基和氟基等腐蝕性等離子蝕刻工藝。
● 占地面積小且模塊化程度高：SI 591等離子體刻蝕設(shè)備單腔帶預(yù)真空室的占地面積為：655 × 1050 mm2，可配置為單個(gè)反應(yīng)腔或作為片盒到片盒裝載的多腔設(shè)備，也可集成于CVD Cluster。
● SENTECH控制軟件：
● 我們的等離子蝕刻設(shè)備有功能強(qiáng)大的用戶友好軟件與模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
● 預(yù)真空室和計(jì)算機(jī)控制的等離子體刻蝕工藝條件，使得 SI 591 具有優(yōu)異的工藝再現(xiàn)性和等離子體蝕刻工藝靈活性。靈活性、模塊性和占地面積小是 SI 591 的設(shè)計(jì)特點(diǎn)。樣品直徑可達(dá) 200 mm，通過(guò)載片器加載。
● 位于頂部電極和反應(yīng)腔體的更大診斷窗口可以輕易地容納 SENTECH 激光干涉儀或 OES 和 RGA 系統(tǒng)。橢偏儀端口可用于 SENTECH 橢偏儀進(jìn)行原位監(jiān)測(cè)。
● SI 591 結(jié)合了計(jì)算機(jī)控制的 RIE 平行板電極設(shè)計(jì)的優(yōu)點(diǎn)和預(yù)真空室系統(tǒng)。SI 591 可配置用于各種材料的刻蝕。在 SENTECH，我們提供不同級(jí)別的自動(dòng)化程度，從真空片盒載片到一個(gè)工藝腔室或多達(dá)六個(gè)工藝模塊端口，可用于不同的蝕刻和沉積工藝模塊組成多腔系統(tǒng)，目標(biāo)是高靈活性或高產(chǎn)量。SI 591 也可用作多腔系統(tǒng)中的一個(gè)工藝模塊。
應(yīng)用展示
介質(zhì)，半導(dǎo)體，硅，金屬刻蝕
SI 591 等離子刻蝕設(shè)備
● 占地面積小的 RIE 等離子刻蝕
● 預(yù)真空室
● 支持鹵素和氟基氣體
● 適用于 200 mm 的晶圓
● 可集成原位激光干涉儀和基于OES的終點(diǎn)監(jiān)測(cè)
