1906年美國人德福雷斯特發(fā)明真空三極管，用來放大電話的聲音電流。此后，人們強烈地期待著能夠誕生一種固體器件，用來作為質(zhì)量輕、價廉和壽命長的放大器和電子開關。1947年，點接觸型鍺晶體管的誕生，在電子器件的發(fā)上翻開了新的一頁。但是，這種點接觸型晶體管在構造上存在著接觸點不穩(wěn)定的致命弱點。在點接觸型晶體管開發(fā)成功的同時，結型晶體管論就已經(jīng)提出，但是直至人們能夠制備超高純度的單晶以及能夠任意控制晶體的導電類型以后，結型晶體管材真正得以出現(xiàn)。1950年，具有使用價值的的鍺合金型晶體管誕生。1954年，結型硅晶體管誕生。此后，人們提出了場效應晶體管的構想。隨著無缺陷結晶和缺陷控制等材料技術、晶體外誕生長技術和擴散摻雜技術、耐壓氧化膜的制備技術、腐蝕和光刻技術的出現(xiàn)和發(fā)展，各種性能優(yōu)良的電子器件相繼出現(xiàn)，電子元器件逐步從真空管時代進入晶體管時代和大規(guī)模、超大規(guī)模集成電路時代。逐步形成作為高技術產(chǎn)業(yè)代表的半導體工業(yè)。
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