分立器件特性參數(shù)測(cè)試是對(duì)待測(cè)器件（DUT）施加電壓或電流，然后測(cè)試其對(duì)激勵(lì)做出的響應(yīng)，通常分立器件特性參數(shù)測(cè)試需要幾臺(tái)儀器完成，如數(shù)字萬(wàn)用表、電壓源、電流源等。然而由數(shù)臺(tái)儀器組成的系統(tǒng)需要分別進(jìn)行編程、同步、連接、測(cè)量和分析，過(guò)程既復(fù)雜又耗時(shí)，又占用過(guò)多測(cè)試臺(tái)的空間；而且使用單一功能的測(cè)試儀器和激勵(lì)源還存在復(fù)雜的相互間觸發(fā)操作，有更大的不確定性及更慢的總線(xiàn)傳輸速度等缺點(diǎn)。 實(shí)施半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)分析的Z佳工具之一是數(shù)字源表（SMU）。數(shù)字源表可作為獨(dú)立的恒壓源或恒流源、伏特計(jì)、安培計(jì)和歐姆表，還可用作精密電子負(fù)載，其高性能架構(gòu)還允許將其用作脈沖發(fā)生器、 波形發(fā)生器和自動(dòng)電流-電壓(I-V)特性分析系統(tǒng)，支持四象限工作。普賽斯“五合一”高精度數(shù)字源表（SMU）可為高?？蒲泄ぷ髡?、器件測(cè)試工程師及功率模塊設(shè)計(jì)工程師提供測(cè)量所需的工具。不論使用者對(duì)源表、電橋、曲線(xiàn)跟蹤儀、半導(dǎo)體參數(shù)分析儀或示波器是否熟悉，都能簡(jiǎn)單而迅速地得到精確的結(jié)果。
利用數(shù)字源表簡(jiǎn)化半導(dǎo)體分立器件特性參數(shù)測(cè)試
豐富的半導(dǎo)體IV特性測(cè)試行業(yè)經(jīng)驗(yàn)；
全面的解決方案：二極管、MOSFET、BJT、IGBT、二極管電阻器及晶閘管等；
提供適當(dāng)?shù)碾娎|輔件和測(cè)試夾具……二三極管iv測(cè)試儀iv曲線(xiàn)掃描儀認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表
普賽斯S系列數(shù)字源表優(yōu)點(diǎn)：
同時(shí)精確提供和測(cè)量電壓和/或電流；
同步測(cè)量，減少測(cè)試時(shí)間
提供和測(cè)量非常廣的電流和電壓；
電壓測(cè)試范圍30uV-300V,電流測(cè)試范圍1pA-1A
支持運(yùn)行用戶(hù)腳本程序，無(wú)需電腦控制，提高生產(chǎn)測(cè)試速度；
序列測(cè)試，簡(jiǎn)化操作，降低成本
采用用戶(hù)熟悉的圖形界面，不管用戶(hù)經(jīng)驗(yàn)是否豐富，使用起來(lái)都非常簡(jiǎn)便；
觸屏操作
與傳統(tǒng)電源比：
電源過(guò)零需要改變線(xiàn)連接方式；
增加需反復(fù)開(kāi)關(guān)機(jī)械開(kāi)關(guān)，降低了設(shè)備可靠性
電壓電流限制精度有限；
電壓1%，電流10mA
與電源結(jié)合萬(wàn)用表組合比：
萬(wàn)用表電源組合需要編程實(shí)現(xiàn)設(shè)備控制及同步；
復(fù)雜連線(xiàn)、編程開(kāi)發(fā)
電源限壓限流性能差
限壓限流精度低，瞬態(tài)特性也無(wú)法保證
分立器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢(shì)
高電壓、大電流
具有高電壓測(cè)量/輸出能力,電壓高達(dá)3500V(Z大可擴(kuò)展至10kV)
具有大電流測(cè)量/輸出能力,電流高達(dá)6000A(多模塊并聯(lián))
高精度測(cè)量
納安級(jí)漏電流, μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻
0.1%精度測(cè)量
模塊化配置
可根據(jù)實(shí)際測(cè)試需要靈活配置多種測(cè)量單元系統(tǒng)預(yù)留升級(jí)空間,后期可添加或升級(jí)測(cè)量單元
測(cè)試效率高
內(nèi)置專(zhuān)用開(kāi)關(guān)矩陣,根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目自動(dòng)切換電路與測(cè)量單元
支持國(guó)標(biāo)全指標(biāo)的一鍵測(cè)試
擴(kuò)展性好
支持常溫及高溫測(cè)試可靈活定制各種夾具
有關(guān)二三極管iv測(cè)試儀iv曲線(xiàn)掃描儀的更多信息，找普賽斯儀表專(zhuān)員為您解答；
