兼顧提高芯片抗彎強度和維持外質(zhì)吸雜（Gettering）功能的磨輪
加工對象: Silicon wafer, etc
隨著晶圓的超薄化發(fā)展，存在著降低外質(zhì)吸雜效果的威脅。Gettering DP采用迪思科的干式拋光工藝，通過去除內(nèi)部應(yīng)力，即提高了芯片抗彎強度又維持了外質(zhì)吸雜功能。由于干式拋光工藝不使用化學(xué)藥品，在減輕環(huán)境負荷的同時，與使用研磨液以及化學(xué)藥品的拋光工藝相比，能夠以更簡便的操作完成薄片晶圓的研磨。
Gettering DP 的種類
根據(jù)用途，可提供2種類型的GetteringDP 。與標(biāo)準(zhǔn)的GA類型相比，因為MZ類型的DP磨輪更能提高晶圓的抗彎強度，所以能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工。但是，MZ類型需要根據(jù)加工物的不同，詳細選定加工條件，具體本公司的銷售人員。
| GA*** type | 標(biāo)準(zhǔn)型GetteringDP |
| MZ*** type | 與GA類型相比，提高了抗彎強度，能夠?qū)崿F(xiàn)更薄的晶圓拋光加工 |
實驗結(jié)果
抗彎強度比較（三點式抗彎強度測量法）
* Finish thickness: 25 µm Process: DBG （Dicing Before Grinding）
外質(zhì)吸雜效果
于研磨后的鏡面晶圓經(jīng)強制污染后從反面析出的Cu濃度高于1.0E11的結(jié)果相比， Gettering DP研磨后的晶圓從反面析出的Cu濃度卻低于檢出下限值， 由此可知Gettering DP面具有外質(zhì)吸雜效果。
Cu強制污染前后的TXRF測量結(jié)果（Φ8英寸鏡面晶圓）
為了定量測定外質(zhì)吸雜效果， 將經(jīng)過Cu強制污染的樣本以350 ℃加熱3小時后，使用TXRF（全反射式X光熒光光譜儀）進行分析。以Gettering DP的研磨晶圓為例， 研磨面經(jīng)過Cu強制污染并擴散后，使用TXRF分析反面（鏡面）析出的Cu量。
※0.5E10 atoms/cm2以下為檢出極限。
技術(shù)規(guī)格
