離子濺射儀集合了二極濺射模式之精華,并經(jīng)重新定義設(shè)計(jì),的電流與真空度記錄曲線相結(jié)合可以進(jìn)行常規(guī)的樣品制樣,還可以滿足各種復(fù)雜特殊材料的樣品制備要求,對(duì)于高分子薄膜,地質(zhì)材料,半導(dǎo)體材料等各種樣品的制備可以輕松應(yīng)用。
穩(wěn)定可靠的硬件,始終如一 人性化操作界面,易懂易用
良好的擴(kuò)展功能,遠(yuǎn)矚 低使用成本設(shè)計(jì),經(jīng)濟(jì)實(shí)用
濺射系統(tǒng)
*的高壓直流濺射/磁控低壓濺射
高精密加工的金屬濺射靶頭
長(zhǎng)壽命額定功率的直流濺射電源
高精度的真空測(cè)量系統(tǒng)
高性能的真空控制系統(tǒng)
可程序化設(shè)定的濺射周期
離子濺射儀是制備SEM樣品和電極表面涂層廣泛使用的一種方法,具有快捷、高效、無污染和大面積制備等優(yōu)點(diǎn)。Microhezao離子濺射儀將成為大部分的物理或材料實(shí)驗(yàn)室樣品制備的一部分。
外形尺寸: 424× 290×2 65 (mm) 工作電壓: 200-240VAC 50H z
濺射電壓: DC2400V 控制模式: 微處理器控制
功率: 500W 濺射電流: ≤30 mA
濺射時(shí)間: ≤600s 極限真空 : 0.1Pa
工作真空: ≤30Pa 膜層厚度: 內(nèi)置膜厚估算(金靶)
真空測(cè)量: 電阻規(guī) 真空 速 率: <2L /s
電源和環(huán)境要求
220V±10%,50/60Hz,
功率4KVA單獨(dú)地線<30Ω(干燥地區(qū)<10Ω)
溫度10-30℃(每小時(shí)變化<5℃)
濕度 80%以下