| 設(shè)備簡介: 該產(chǎn)品是由固態(tài)等離子源、氣體質(zhì)子流量控制系統(tǒng)、襯底控溫系統(tǒng)、真空系統(tǒng)組成,采用集中總線控制技術(shù)的諾巴迪操作軟件。適用于室溫至1200℃條件下進(jìn)行SiO2、SiNx薄膜的沉積,同時(shí)可實(shí)現(xiàn)TEOS源沉積,SiC膜層沉積以及液態(tài)氣態(tài)源沉積其它材料,尤其適合于有機(jī)材料上高效保護(hù)層膜和特定溫度下無損傷鈍化膜的沉積。
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配置詳情
| 1. 清洗鍍膜一氣呵成,杜絕二次污染; 2. 上開啟式結(jié)構(gòu),方便觀察試樣; 3. 產(chǎn)品采用全自動控制方式,觸摸屏,數(shù)字化顯示; 4. 設(shè)備一體化程度高; 5. 穩(wěn)定的射頻電源,均勻的溫度分布,提高成膜質(zhì)量; | |||||||||
產(chǎn)品型號 | NBD-PECVD1200-80IT | |||||||||
電氣規(guī)格 | AC220V 4KW | |||||||||
可達(dá)溫度 | 1200 ℃ | |||||||||
連續(xù)溫度 | 1150℃ | |||||||||
可達(dá)加熱速率 | ≤ 20 ℃/分鐘 | |||||||||
射頻電源 | 300或500W 13.56MHz | |||||||||
爐管尺寸 | Φ80*1200mm | |||||||||
沉積示意圖 |
| 如圖所示:此為該設(shè)備沉積過程中的示意圖 | ||||||||
控制系統(tǒng) |
| 1.NBD-101EP嵌入式操作系統(tǒng)中英文互換圖形界面,7寸真彩觸屏輸入,智能式人機(jī)對話模式,實(shí)時(shí)加熱功率顯示,非線性式樣溫度修正;實(shí)驗(yàn)報(bào)告自主生成,實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)無限次導(dǎo)出。 2.實(shí)驗(yàn)過程更加直觀,操作更加便捷; 3.具有超溫報(bào)警、斷偶提示、漏電保護(hù)等功能。 | ||||||||
溫度精度 | +/- 1 ℃ | |||||||||
加熱元件 |
| Mo摻雜的Fe-Cr-Al合金 | ||||||||
密封系統(tǒng) |
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真空度:≤10Pa(機(jī)械泵) | ||||||||||
壓力測量與監(jiān)控 |
| 采用數(shù)顯真空計(jì),可使設(shè)備真空度更加直觀,實(shí)驗(yàn)結(jié)果更加準(zhǔn)確。 | ||||||||
供氣系統(tǒng) |
| 采用兩路質(zhì)子流量計(jì)精確控制氣體流速,與設(shè)備集成為一體; | ||||||||
凈重 | 360KG | |||||||||
設(shè)備使用注意事項(xiàng) |
1. 設(shè)備爐膛溫度≥300℃時(shí),禁止打開爐膛,避免受到傷害; 2. 設(shè)備使用時(shí),爐管內(nèi)壓力不得超過0.125MPa(壓力),以防止壓力過大造成設(shè)備損壞; 3. 真空下使用時(shí),設(shè)備使用溫度不得超過800℃。
4. 供氣鋼瓶內(nèi)部氣壓較高,向爐管內(nèi)通入氣體時(shí),氣瓶上必須安裝減壓閥,建議在選購試驗(yàn)用小壓力減壓閥,減壓閥量程為0.01MPa-0.15MPa,使用時(shí)會更加精確安全。 5.當(dāng)爐體溫度高于1000℃時(shí),爐管內(nèi)不可處于真空狀態(tài),爐管內(nèi)的氣壓需和大氣壓 相當(dāng),保持在常壓狀態(tài); 6.高純石英管的長時(shí)間使用溫度≦1100℃ 7.加熱的實(shí)驗(yàn)時(shí),不建議關(guān)閉爐管法蘭端的抽氣閥和進(jìn)氣閥使用。若需要關(guān)閉氣閥對樣品加熱,則需時(shí)刻關(guān)注壓力表的示數(shù),若壓力表讀數(shù)大于0.15MPa,必須立刻打開排氣端閥門,以防意外發(fā)生(如爐 管破裂,法蘭飛出等)
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服務(wù)支持 | 1年質(zhì)保,提供終身支持(保修范圍內(nèi)不包括易耗部件,例如爐管和密封圈等)。 |
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