IGBT測試難點(diǎn):
1、由于IGBT是多端口器件,所以需要多個(gè)測量模塊協(xié)同測試。
2、IGBT的漏電流越小越好,所以需要高精度的設(shè)備進(jìn)行測試。
3、IGBT動態(tài)電流范圍大,測試時(shí)需要量程范圍廣,且量程可以自動切換的模塊進(jìn)行測試。
4、由于IGBT工作在強(qiáng)電流下,自加熱效應(yīng)明顯,脈沖測試可以減少自加熱效應(yīng),所以MOSFET需要進(jìn)行脈沖IV測試,用于評估期間的自加熱特性。
5、MOSFET的電容曲線是其特性表征的重要內(nèi)容,且與其在高頻應(yīng)用有密切關(guān)系。所以IGBT的電容測試非常重要。
6、IGBT開關(guān)特性非常重要,需要進(jìn)行雙脈沖動態(tài)參數(shù)的測試。
MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺特點(diǎn)和優(yōu)勢:
單臺Z大3500V輸出;
單臺Z大1000A輸出,可并聯(lián)后Z大6000A;
15us的超快電流上升沿;
同步測量;
國標(biāo)全指標(biāo)的自動化測試;
系統(tǒng)指標(biāo)
項(xiàng)目 | 參數(shù) | |
集電極-發(fā)射極 | Z大電壓. | 3500V |
Z大電流 | 6000A | |
精度 | 0.10% | |
大電壓上升沿 | 典型值5ms | |
大電流上升沿 | 典型值15us | |
大電流脈寬 | 50us~500us | |
漏電流測試量程 | 1nA~100mA | |
柵極-發(fā)射極 | Z大電壓 | 300V |
Z大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | |
精度 | 0.05% | |
Z小電壓分辨率 | 30uV | |
Z小電流分辨率 | 10pA | |
電容測試 | 典型精度 | 0.5% |
頻率范圍 | 10Hz~1MHz | |
電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | |
溫控 | 范圍 | 25℃~150℃ |
精度 | ±1℃ |
測試項(xiàng)目
集電極-發(fā)射極電壓Vces,集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描,C-V特性曲線掃描等
普賽斯
MOSFET|BJT靜態(tài)參數(shù)測試平臺集多種測量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測量功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)10KV,電流可高達(dá)6KA。該系統(tǒng)可測量不同封裝類型的功率器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性,uΩ級電阻,皮安級電流精準(zhǔn)測量等特點(diǎn)。支持高壓模式下測量功率器件結(jié)電容,如輸入電容,輸出電容、反向傳輸電容等。功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)采用模塊化設(shè)計(jì),方便用戶添加或升級測量模塊,適應(yīng)測量功率器件不斷變化的需求。