等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)是采用PECVD技術專業(yè)為介質膜鍍膜設計的化學氣相沉積設備。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng)，改進了較小的反應堆體積，可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性，并減少泵送時間。
由于可以方便地訪問所有內部組件，因此等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設計，為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)等離子體產(chǎn)生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上，在這里可以施加高達600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置電壓。在ICP模式下，在加熱臺上使用低頻電勢，確保了在沉積過程中調節(jié)介質膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應器中的極限壓力: <5×10-6Torr
一次性處理晶圓數(shù)量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
ICP發(fā)生器功率：1200W @13.56MHz
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉移到反應器中。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)通過優(yōu)化供氣系統(tǒng)，改進了較小的反應堆體積，可顯著提高工藝的均勻性和再現(xiàn)性，并減少泵送時間。
由于可以方便地訪問所有內部組件，因此等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)的日常維護變得更加容易。特殊的底電極設計，為PECVD提供了紅外高溫計精確的晶片加熱控制。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)等離子體產(chǎn)生采用帶自動匹配單元的平板式ICP源。晶圓放在加熱的工作臺電極上，在這里可以施加高達600W的RF（13,56 MHz）或LF（300÷500 kHz）偏置電壓。在ICP模式下，在加熱臺上使用低頻電勢，確保了在沉積過程中調節(jié)介質膜張力的額外可能性。
等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)規(guī)格參數(shù)
工藝過程反應器中的極限壓力: <5×10-6Torr
一次性處理晶圓數(shù)量：：7個@2'', 4個@3'', 1個×∅200mm, 1個@∅150mm 1個@∅100mm
ICP發(fā)生器功率：1200W @13.56MHz
離子束粒（離子能20~300eV): 可選配
襯底支架傾斜180度： 可選配
蝕刻不均性：+/-1% (從中心位置到邊緣,∅100mm）
過程：自動化把晶圓轉移到反應器中。
