HUSTEC華科智源
HUSTEC-1600A-MT
IGBT靜態(tài)參數(shù)綜合特性測(cè)試儀
資料介紹
HUSTEC-1600A-MT
大功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)華科智源
測(cè)試參數(shù)：
ICES 集電極-發(fā)射極漏電流
IGESF 正向柵極漏電流
IGESR 反向柵極漏電流
BVCES 集電極-發(fā)射極擊穿電壓
VGETH 柵極-發(fā)射極閾值電壓
VCESAT 集電極-發(fā)射極飽和電壓
ICON 通態(tài)電極電流
VGEON 通態(tài)柵極電壓
VF 二極管正向?qū)▔航?/span>
整個(gè)測(cè)試過(guò)程自動(dòng)完成，電腦軟件攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)管理查詢(xún)功能，可生成測(cè)試曲線(xiàn)，方便操作使用。
二：HUSTEC-1200A-MT大功率半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)華科智源應(yīng)用范圍
A：IGBT單管及模塊，
B：大功率場(chǎng)效應(yīng)管（Mosfet）
C：大功率二極管
D：標(biāo)準(zhǔn)低阻值電阻
E：軌道交通，風(fēng)力發(fā)電，新能源汽車(chē)，變頻器，焊機(jī)等行業(yè)篩選以及在線(xiàn)故障檢測(cè)
華科智源IGBT測(cè)試儀系統(tǒng)特征：
A：測(cè)量多種IGBT、MOS管
B：大脈沖電流1200A，電壓5KV，測(cè)試范圍廣；
C：脈沖寬度 50uS~300uS
D：Vce測(cè)量精度2mV
E：Vce測(cè)量范圍>10V
F：電腦圖形顯示界面
G：智能保護(hù)被測(cè)量器件
H：上位機(jī)攜帶數(shù)據(jù)庫(kù)功能
I：MOS IGBT內(nèi)部二極管壓降
J : 一次測(cè)試IGBT全部靜態(tài)參數(shù)
K: 生成測(cè)試曲線(xiàn)（IV曲線(xiàn)直觀看到IGBT特性，可以做失效分析以及故障定位）
L:可以進(jìn)行不同曲線(xiàn)的對(duì)比，觀測(cè)同一批次產(chǎn)品的曲線(xiàn)狀態(tài)，或者不同廠家同一規(guī)格參數(shù)的曲線(xiàn)對(duì)比；
序號(hào) | 測(cè)試項(xiàng)目 | 描述 | 測(cè)量范圍 | 分辨率 | 精度 |
1 | VF | 二極管正向?qū)▔航?/span> | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
2 | IF | 二極管正向?qū)娏?/span> | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
3 | ＞200A時(shí),1A | ＞200A時(shí),±1% | |||
4 | Vces | 集電極-發(fā)射極電壓 | 0~5000V | 1V | ±1%,±1V |
5 | Ic | 通態(tài)集電極電流 | 0~1200A | ≤200A時(shí),0.1A | ≤200A時(shí),±1%±0.1A |
6 | ＞200A時(shí),1A | ＞200A時(shí),±1% | |||
7 | Ices | 集電極-發(fā)射極漏電流 | 0~50mA | 1nA | ±1%,±10μA |
8 | Vgeth | 柵極-發(fā)射極閾值電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
9 | Vcesat | 集電極-發(fā)射極飽和電壓 | 0~20V | 1mV | ±1%,±1mV |
10 | Igesf | 正向柵極漏電流 | 0~10uA | 1nA | ±2%,±1nA |
11 | Igesr | 反向柵極漏電流 | |||
12 | Vges | 柵極發(fā)射極電壓 | 0~40V | 1mV | ±1%,±1mV |
華科智源IGBT測(cè)試儀針對(duì) IGBT 的各種靜態(tài)參數(shù)而研制的智能測(cè)試系統(tǒng)；自動(dòng)化程度高（按照操作人員設(shè)定的程序自動(dòng)工作），計(jì)算機(jī)可以記錄測(cè)試結(jié)果，測(cè)試結(jié)果可轉(zhuǎn)化為文本格式存儲(chǔ)，測(cè)試方法靈活（可測(cè)試器件以及單個(gè)單元和多單元的模塊測(cè)試），安全穩(wěn)定（對(duì)設(shè)備的工作狀態(tài)進(jìn)行全程實(shí)時(shí)監(jiān)控并與硬件進(jìn)行互鎖），具有安全保護(hù)功能，測(cè)試速度方便快捷。
