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KRI 考夫曼離子源 KDC 160
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼離子源 KDC 160是目前考夫曼 KDC 系列大,離子能量的柵極離子源, 適用于已知的所有離子源應(yīng)用, 離子源 KDC 160 高輸出設(shè)計(jì),大電流超過 1000 mA. 無需水冷, 降低安裝要求并排除腔體漏水的幾率, 雙陰極設(shè)計(jì),標(biāo)準(zhǔn)配置下離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 800 mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 160 技術(shù)參數(shù)
型號 | KDC 160 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 2 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | , 自對準(zhǔn) |
-柵極直徑 | 16 cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1212 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 2000 |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 9.92' |
- 直徑 | 9.1' |
- 離子束 | 聚焦 平行 散設(shè) |
-加工材料 | 金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 8-45” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 可調(diào)角度的支架
KRI 考夫曼離子源 KDC 160 應(yīng)用領(lǐng)域
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜)IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
KRI 考夫曼
離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設(shè)三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng). 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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