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KRI 考夫曼離子源 KDC 10
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼
離子源 KDC 10: 考夫曼型離子源 Gridded 系列小型號的離子源. 適用于集成在小型的真空設(shè)備中, 例如預(yù)清洗, 離子濺射, 離子蝕刻. 在<1000eV 低能量, 通 Ar 氬氣時離子蝕刻的能力顯著提高.KDC 10 離子源低損傷, 寬束設(shè)計, 低成本等優(yōu)點廣泛應(yīng)用在顯微鏡領(lǐng)域, 標(biāo)準配置下 KDC 10 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 10mA.
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 技術(shù)參數(shù)
型號 | KDC 10 |
供電 | DC magnetic confinement |
- 陰極燈絲 | 1 |
- 陽極電壓 | 0-100V DC |
- 柵極直徑 | 1cm |
中和器 | 燈絲 |
電源控制 | KSC 1202 |
配置 | - |
- 陰極中和器 | Filament, Sidewinder Filament 或LFN 1000 |
- 架構(gòu) | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 4.5' |
- 直徑 | 1.52' |
- 離子束 | 集中 平行 散設(shè) |
-加工材料 | 金屬 電介質(zhì) 半導(dǎo)體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 2-12” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
KRI 考夫曼離子源 KDC 10 應(yīng)用領(lǐng)域
離子清洗, 顯微鏡拋光 IBP
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD
表面改性, 激活 SM
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
KRI 考夫曼
離子源 Gridded KDC 系列, 柵極燈絲型離子源, 通過加熱燈絲產(chǎn)生電子, 提供低電流高能量離子束. 離子束可選聚焦,平行, 散設(shè)三種方式, KDC 系列離子源適用于離子濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC, 輔助鍍膜 ( 光學(xué)鍍膜 ) IBAD, 表面改性, 激活 SM, 離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD, 離子蝕刻 IBE 等.
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領(lǐng)域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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