價格電議
KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國* KRI 考夫曼型
離子源 RFICP 100 緊湊設計, 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設計但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時, 離子源配有離子光學元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實現 薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學配合, 蝕刻更均勻. 標準配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以超過 400 mA.
射頻離子源 RFICP 100
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術參數
型號 | RFICP 100 |
供電 | RF 射頻感應耦合 |
- 陰極燈絲 | - |
- 射頻功率 | 1 KW |
電子束 | OptiBeam™ |
- 柵極 | |
-柵極直徑 | 10 或 12 cm |
中和器 | LFN 2000 |
電源控制 | RFICP 1510-2-10-LFNA |
配置 | - |
- 陰極中和器 | LFN2000 or MHC1000 or RFN |
- 安裝 | 移動或快速法蘭 |
- 高度 | 9.25' |
- 直徑 | 7.52' |
- 離子束 | 聚焦 平行 散設 |
-加工材料 | 金屬 電介質 半導體 |
-工藝氣體 | 惰性 活性 混合 |
-安裝距離 | 6-18” |
- 自動控制 | 控制4種氣體 |
* 可選: 燈絲中和器; 可變長度的增量
KRI 考夫曼離子源 RFICP 100 應用領域
預清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結構 IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機 IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 Hipace 2300
射頻離子源 RFICP 100
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產
考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發(fā)展已取得多項. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
若您需要進一步了解詳細信息, 歡迎聯(lián)絡上海伯東羅先生