PHI quantera SXM掃描X射線光電子能譜儀世界掃描式X射線源根據(jù)X射線掃描樣品表面所得的二次電子像(ScanningX-ray Image,斑束直徑為9-200微米)能正確而迅速地確定分析位置  分析靈敏度高(采用32通道檢測(cè)器)  與普通的入射透鏡視場(chǎng)限制式X射線光電子譜儀相比微區(qū)分析靈敏度約提高10-20倍(<30微米,和 本公司的入射透鏡視場(chǎng)限制式X射線光電子譜儀相比)  利用低能電子束和低能離子束同時(shí)照射樣品使得絕緣材料的分析變得非常方便(因?yàn)閷?duì)所有絕緣材料使用近乎相同的中和條件并且該中和條件在測(cè)定時(shí)會(huì)自動(dòng)開啟) 使用新型離子槍能快速地進(jìn)行深度剖面分析并可獲 得高深度分辨率  

PHI quantera SXM掃描X射線光電子能譜儀離子化：能量以這樣的方式從初級(jí)離子被轉(zhuǎn)移到樣品表面，在撞擊的地區(qū)附近，導(dǎo)致有相當(dāng)表面的范圍分裂，造成釋放低質(zhì)量的原子和分子種類。在撞擊地區(qū)，能量進(jìn)一步傳到基質(zhì)導(dǎo)致釋放出更高質(zhì)量的分子種類。 靜態(tài)：有一個(gè)初級(jí)離子轟擊的狀態(tài)，被稱為“靜態(tài)”SIMS，這種狀態(tài)下每次撞擊在樣品表面的離子數(shù)量很低，使每個(gè)連續(xù)的初級(jí)離子能撞擊 到未經(jīng)撞擊的表面。這種靜態(tài)SIMS不會(huì)突然結(jié)束，但普遍接受的只限于?1012至1013初級(jí)離子/cm2 。時(shí)間飛行質(zhì)譜遵循靜態(tài)SIMS的規(guī)則。  TRIFT分析器：TRIFT分析器不斷重新聚焦二次離子在光譜儀。該分析儀具有超大的角和能源驗(yàn)收，通過(guò)采用具有優(yōu)良離子傳輸能力的三重重點(diǎn)半球形靜電分析器可達(dá)到高空間分辨率和質(zhì)量分辨率。