光繼電器為AC/DC并用的半導體繼電器，指發(fā)光器件和受光器件一體化的器件。輸入側和輸出側電氣性絕緣，但信號可以通過光信號傳輸。[1]1應用編輯光繼電器有無機械觸點,長壽命,低動作電流,高隔離電壓,高...
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光繼電器為AC/DC并用的半導體繼電器，指發(fā)光器件和受光器件一體化的器件。輸入側和輸出側電氣性絕緣，但信號可以通過光信號傳輸。[1]1應用編輯光繼電器有無機械觸點,長壽命,低動作電流,高隔離電壓,高...
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摘要 1:小型.高靈敏度1極信號用繼電器2：小型的尺寸12.5X7.5X10MM3:寬范圍的接點開關區(qū)域1MA-1A4:高靈敏度線圈150WM5:塑料密封型,耐環(huán)境性能*線圈接點間為FCC PART68標準
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摘要 1：采用高功率電磁回路，實現(xiàn)高靈敏度（200MW）。2：小型繼電器，但可以 確保10KV的耐沖擊電壓。3：標準型取得UL，CSA，VDE認證。4：主要用于：熱水器，冰箱，空調(diào)，小家電等......
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摘要 1：采用高功率電磁回路，實現(xiàn)高靈敏度（200MW）。2：小型繼電器，但可以 確保10KV的耐沖擊電壓。3：標準型取得UL，CSA，VDE認證。4：主要用于：熱水器，冰箱，空調(diào)，小家電等......
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摘要 1：采用高功率電磁回路，實現(xiàn)高靈敏度（200MW）。2：小型繼電器，但可以 確保10KV的耐沖擊電壓。3：標準型取得UL，CSA，VDE認證。4：主要用于：熱水器，冰箱，空調(diào)，小家電等......
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摘要 1：采用高功率電磁回路，實現(xiàn)高靈敏度（200MW）。2：小型繼電器，但可以 確保10KV的耐沖擊電壓。3：標準型取得UL，CSA，VDE認證。4：主要用于：熱水器，冰箱，空調(diào)，小家電等......
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摘要 1：采用高功率電磁回路，實現(xiàn)高靈敏度（200MW）。2：小型繼電器，但可以 確保10KV的耐沖擊電壓。3：標準型取得UL，CSA，VDE認證。4：主要用于：熱水器，冰箱，空調(diào)，小家電等......
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：漏磁力線少，可進行高密度實裝。5：確保耐沖擊電壓1500V。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電...
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：實行高度5MM，可以與半導體元件安裝于同一基板。2：額定消耗電力140MW的高靈敏度。3：低消耗電力實現(xiàn)的低熱起電力化（約2UV）（G6H-2F除外）。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：長端子形狀，焊接部分的*連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進行高密度封裝。3：*的端子構造，IRS封裝時端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：長端子形狀，焊接部分的*連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進行高密度封裝。3：*的端子構造，IRS封裝時端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：長端子形狀，焊接部分的*連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進行高密度封裝。3：*的端子構造，IRS封裝時端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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摘要 1：長端子形狀，焊接部分的*連接可靠性提高。2：內(nèi)部為L端子形狀，可進行高密度封裝。3：*的端子構造，IRS封裝時端子溫度容易上升，焊接性能良好。4：線圈接點間耐高壓2，000AC，高度耐沖擊電壓2，500V 210US。
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