雙向霍爾開(kāi)關(guān)CHE18-15N11-H710轉(zhuǎn)速傳感器用于主機(jī)尾軸的速度檢測(cè)，其輸出電壓能隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而連續(xù)變化，具有無(wú)觸點(diǎn)、無(wú)磨損、無(wú)火花、低功耗、壽命長(zhǎng)、靈敏度高、工作頻率高的特點(diǎn)，它能在各種惡劣環(huán)境下可靠穩(wěn)定地工作?？捎糜诜墙佑|測(cè)距、無(wú)觸點(diǎn)電位器、無(wú)刷馬達(dá)、磁場(chǎng)測(cè)量的高斯計(jì)、磁力探傷等。

CHE18-15N11-H710雙向霍爾開(kāi)關(guān)/接近傳感器電機(jī)測(cè)速轉(zhuǎn)速傳感器是由霍爾元件、放大器、溫度補(bǔ)償電路和穩(wěn)壓電路利用集成電路工藝技術(shù)制成的。它能感知一切與磁有關(guān)的物理量，又能輸出相關(guān)的電控信息，所以霍爾集成電路既是一種集成電路，又是一種磁敏傳感器。

　　產(chǎn)品特點(diǎn)：

　　1、 響應(yīng)頻率高

　　2、重復(fù)定位精度高

　　3、 輸出波形純凈、性能穩(wěn)定

　　4、帶工作狀態(tài)指示

　　5、穩(wěn)定、可以在油污、粉塵、振動(dòng)和溫差大的惡劣環(huán)境中可靠工作

　　6、 可以設(shè)置多重保護(hù)功能：反向極性保護(hù)，浪涌電壓保護(hù)和過(guò)熱保

　　7、 多種工作模式：常開(kāi)、常閉、自鎖、NPN輸出

雙向霍爾開(kāi)關(guān)CHE18-15N11-H710轉(zhuǎn)速傳感器四線NPN兩常開(kāi)靈敏度高,低功耗,耐高壓耐高溫,可用于電機(jī)檢測(cè)廣泛應(yīng)用于轉(zhuǎn)速檢測(cè)，速度檢測(cè)。

　　霍爾集成電路的原理

　　當(dāng)將一塊通電的半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)中時(shí)，薄片兩側(cè)由此會(huì)產(chǎn)生電位差，此現(xiàn)象稱為霍爾效應(yīng)。此電位差稱為霍爾電勢(shì)，電勢(shì)的大小E=KIB/d，式中K是霍爾系數(shù)，d為薄片的厚度，I為電流，B為磁感應(yīng)強(qiáng)度。圖1示出霍爾效應(yīng)的原理：在三維空間內(nèi)，霍爾半導(dǎo)體平板在XOY平面內(nèi)，它與磁場(chǎng)方向垂直，磁場(chǎng)指向Y軸的方向，沿X軸方向通以電流I，由于運(yùn)動(dòng)的電荷與磁場(chǎng)的相互作用，結(jié)果在Z軸方向上產(chǎn)生了霍爾電勢(shì)E，一般其值可達(dá)幾十毫伏。為此，將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上，就做成了溫度穩(wěn)定性好、可靠性高的霍爾集成電路。

　　二、典型霍爾集成電路結(jié)構(gòu)分析

　　霍爾集成電路按輸出方式可分為線性型和開(kāi)關(guān)型，若按集成電路內(nèi)部的有源器件可分為雙極型和MOS型。圖2、圖3分別示出了一種雙極型霍爾集成電路內(nèi)部的原理結(jié)構(gòu)和邏輯結(jié)構(gòu)，圖2為開(kāi)關(guān)型的，圖3為線性型的。

　　在圖2中IC內(nèi)通過(guò)霍爾元件H的磁性檢測(cè)反映為高低電平的輸出。V1、V2組成差分放大器，它將霍爾電勢(shì)放大，其放大倍數(shù)約幾十倍；V3、V4組成施密特觸發(fā)器，它將放大的霍爾電勢(shì)整形為矩形脈沖；V5、V6進(jìn)一步對(duì)矩形脈沖緩沖放大；V7、V8為開(kāi)路集電極輸出管。圖2a中有兩個(gè)輸出端，這里之所以采用集電極開(kāi)路輸出結(jié)構(gòu)，是因?yàn)樗梢杂休^大的負(fù)載能力，且易于與不同類型的電路接口，但亦有部分霍爾集成電路采用發(fā)射極開(kāi)路輸出形式，如圖2b、2c所示。

　　圖3所示是線性霍爾集成電路的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，其輸出電壓能隨外加磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而連續(xù)變化，其輸出變化曲線一般如圖4所示。它的特點(diǎn)是靈敏度高，輸出動(dòng)態(tài)范圍寬、線性度好。圖3a中V1、V2為差分放大器，R1、R2射極電阻的負(fù)反饋展寬了電路的線性范圍，V5、V6第二級(jí)差分放大使放大倍數(shù)很高。有的線性霍爾集成電路還設(shè)置了引出端外接電位器進(jìn)行補(bǔ)償、調(diào)零或改變電路的靈敏度。