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麻城施邁賽工業(yè)自動(dòng)化有限公司
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雙霍爾接近傳感器F6-D20H1(NPN型)

參  考  價(jià)面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)

產(chǎn)品型號(hào)

品       牌Schmersal/施邁賽

廠商性質(zhì)生產(chǎn)商

所  在  地黃岡市

更新時(shí)間:2022-08-31 17:59:47瀏覽次數(shù):633次

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產(chǎn)地 國(guó)產(chǎn) 電壓比 10-36V
工作頻率 300Hz 加工定制
電壓 10-30VDC
雙霍爾接近傳感器F6-D20H1(NPN型)利用磁感應(yīng)原理,使內(nèi)部開(kāi)關(guān)動(dòng)作,達(dá)到接點(diǎn)通斷的目的,實(shí)現(xiàn)對(duì)外電路的控制,*克服了機(jī)械碰撞開(kāi)關(guān)存在的接觸不良,易損壞等特點(diǎn)。具有工作頻帶寬,響應(yīng)快、面積小、靈敏度高、便于集成化、多功能化等優(yōu)點(diǎn),且易與計(jì)算機(jī)和其它數(shù)字儀表接口,因此被廣泛用于自動(dòng)監(jiān)測(cè)、自動(dòng)測(cè)量、自動(dòng)報(bào)警、自動(dòng)控制等行業(yè)。

雙霍爾接近傳感器F6-D20H1(NPN型)利用磁感應(yīng)原理,使內(nèi)部開(kāi)關(guān)動(dòng)作,達(dá)到接點(diǎn)通斷的目的,實(shí)現(xiàn)對(duì)外電路的控制,*克服了機(jī)械碰撞開(kāi)關(guān)存在的接觸不良,易損壞等特點(diǎn)。具有工作頻帶寬,響應(yīng)快、面積小、靈敏度高、便于集成化、多功能化等優(yōu)點(diǎn),且易與計(jì)算機(jī)和其它數(shù)字儀表接口,因此被廣泛用于自動(dòng)監(jiān)測(cè)、自動(dòng)測(cè)量、自動(dòng)報(bào)警、自動(dòng)控制等行業(yè)。

產(chǎn)品使用了先進(jìn)的弱磁傳感器和微電子器件,具有高的磁靈敏度、高的分辨率和寬的反應(yīng)頻率。電路設(shè)計(jì)采用了高抗干擾技術(shù)。輸出有交流固體開(kāi)關(guān)(AC SSR)和電磁繼電器(EMR)觸點(diǎn)兩種方式,輸出開(kāi)關(guān)容量大。系統(tǒng)設(shè)計(jì)采用了高可靠技術(shù),每種功能均設(shè)置兩套電路,并聯(lián)連接,只要不同時(shí)失效,開(kāi)關(guān)即可正常工作。

工作原理及應(yīng)用范圍  
    霍爾集成電路是霍爾元件與電子線路一體化的產(chǎn)品,它是由霍爾元件、放大器、溫度補(bǔ)償電路和穩(wěn)壓電路利用集成電路工藝技術(shù)制成的。它能感知一切與磁有關(guān)的物理量,又能輸出相關(guān)的電控信息,所以霍爾集成電路既是一種集成電路,又是一種磁敏傳感器,它一般采用DIP或扁平封裝。 

霍爾接近開(kāi)關(guān)是根據(jù)霍爾效應(yīng)原理制成的新型自動(dòng)化開(kāi)關(guān)器件。是以永磁體或?qū)Т朋w作為觸發(fā)媒介的無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),通過(guò)霍爾效應(yīng)元件接受磁力線的信號(hào),經(jīng)放大、整形后控制輸出狀態(tài)的通斷。由霍爾開(kāi)關(guān)電路、保護(hù)器、狀態(tài)指示燈、防水外殼等組成,可將磁訊號(hào)轉(zhuǎn)換成數(shù)字電壓輸出。是實(shí)現(xiàn)位置控制、狀態(tài)控制、測(cè)速、計(jì)數(shù)、方向鑒別、自動(dòng)保護(hù)的優(yōu)選品種。其檢測(cè)對(duì)象須是磁性物體。

雙霍爾接近傳感器F6-D20H1(NPN型)產(chǎn)品特點(diǎn):
1、 響應(yīng)頻率高
2、重復(fù)定位精度高
3、 輸出波形純凈、性能穩(wěn)定
4、帶工作狀態(tài)指示
5、穩(wěn)定、可以在油污、粉塵、振動(dòng)和溫差大的惡劣環(huán)境中可靠工作
6、 可以設(shè)置多重保護(hù)功能:反向極性保護(hù),浪涌電壓保護(hù)和過(guò)熱保
7、 多種工作模式:常開(kāi)、常閉、自鎖、NPN輸出、PNP輸出


類(lèi)型分類(lèi)

常開(kāi)型:開(kāi)關(guān)平常處在斷開(kāi)狀態(tài),當(dāng)磁體作用時(shí),則開(kāi)關(guān)處于閉合狀態(tài)。

常閉型:開(kāi)關(guān)平常處在閉合狀態(tài),當(dāng)磁體作用時(shí),則開(kāi)關(guān)處于斷開(kāi)狀態(tài)。

開(kāi)閉型:即一個(gè)開(kāi)關(guān)分兩組共三根線,一根為公用線。一組為常開(kāi)型,則另一組為常閉型。當(dāng)磁體作用時(shí),常開(kāi)型處于閉合狀態(tài),常閉型處于斷開(kāi)狀態(tài)。

什么是霍爾傳感器

  霍爾傳感器是根據(jù)霍爾效應(yīng)制作的一種磁場(chǎng)傳感器。通過(guò)霍爾效應(yīng)實(shí)驗(yàn)測(cè)定的霍爾系數(shù),能夠判斷半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電類(lèi)型、載流子濃度及載流子遷移率等重要參數(shù)。

  霍爾效應(yīng)是磁電效應(yīng)的一種,這一現(xiàn)象是霍爾(A.H.Hall,1855—1938)于1879年在研究金屬的導(dǎo)電機(jī)構(gòu)時(shí)發(fā)現(xiàn)的。后來(lái)發(fā)現(xiàn)半導(dǎo)體、導(dǎo)電流體等也有這種效應(yīng),而半導(dǎo)體的霍爾效應(yīng)比金屬?gòu)?qiáng)得多,利用這現(xiàn)象制成的各種霍爾元件,廣泛地應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化技術(shù)、檢測(cè)技術(shù)及信息處理等方面?;魻栃?yīng)是研究半導(dǎo)體材料性能的基本方法。

  霍爾傳感器的原理介紹

  磁場(chǎng)中有一個(gè)霍爾半導(dǎo)體片,恒定電流I從A到B通過(guò)該片。在洛侖茲力的作用下,I的電子流在通過(guò)霍爾半導(dǎo)體時(shí)向一側(cè)偏移,使該片在CD方向上產(chǎn)生電位差,這就是所謂的霍爾電壓。

 霍爾電壓隨磁場(chǎng)強(qiáng)度的變化而變化,磁場(chǎng)越強(qiáng),電壓越高,磁場(chǎng)越弱,電壓越低,霍爾電壓值很小,通常只有幾個(gè)毫伏,但經(jīng)集成電路中的放大器放大,就能使該電壓放大到足以輸出較強(qiáng)的信號(hào)。若使霍爾集成電路起傳感作用,需要用機(jī)械的方法來(lái)改變磁場(chǎng)強(qiáng)度。下圖所示的方法是用一個(gè)轉(zhuǎn)動(dòng)的葉輪作為控制磁通量的開(kāi)關(guān),當(dāng)葉輪葉片處于磁鐵和霍爾集成電路之間的氣隙中時(shí),磁場(chǎng)偏離集成片,霍爾電壓消失。這樣,霍爾集成電路的輸出電壓的變化,就能表示出葉輪驅(qū)動(dòng)軸的某一位置。


  利用這一工作原理,可將霍爾集成電路片用作用點(diǎn)火正時(shí)傳感器?;魻栃?yīng)傳感器屬于被動(dòng)型傳感器,它要有外加電源才能工作,這一特點(diǎn)使它能檢測(cè)轉(zhuǎn)速低的運(yùn)轉(zhuǎn)情況。

  霍爾傳感器的特性

  1、精度高:在工作溫度區(qū)內(nèi)精度優(yōu)于1%,該精度適合于任何波形的測(cè)量;

  2、線性度好:優(yōu)于0.1%;

  3、霍爾傳感器可以測(cè)量任意波形的電流和電壓,如:直流、交流、脈沖波形等,甚至對(duì)瞬態(tài)峰值的測(cè)量。副邊電流忠實(shí)地反應(yīng)原邊電流的波形。而普通互感器則是無(wú)法與其比擬的,它一般只適用于測(cè)量50Hz正弦波;


使用霍爾傳感器注意事項(xiàng)

  在使用霍爾電流傳感器時(shí),應(yīng)注意一下幾點(diǎn):

  1、為了得到較好的動(dòng)態(tài)特性和靈敏度,必須注意原邊線圈和副邊線圈的耦合,要耦合得好,最好用單根導(dǎo)線且導(dǎo)線*填滿霍爾傳感器模塊孔徑。

  2、使用中當(dāng)大的直流電流流過(guò)傳感器原邊線圈,且次級(jí)電路沒(méi)有接通電源|穩(wěn)壓器或副邊開(kāi)路,則其磁路被磁化,而產(chǎn)生剩磁,影響測(cè)量精度(故使用時(shí)要先接通電源和測(cè)量端M),發(fā)生這種情況時(shí),要先進(jìn)行退磁處理。其方法是次邊電路不加電源,而在原邊線圈中通一同樣等級(jí)大小的交流電流并逐漸減小其值。

霍爾集成電路的原理 
 
當(dāng)將一塊通電的半導(dǎo)體薄片垂直置于磁場(chǎng)中時(shí),薄片兩側(cè)由此會(huì)產(chǎn)生電位差,此現(xiàn)象稱(chēng)為霍爾效應(yīng)。此電位差稱(chēng)為霍爾電勢(shì),電勢(shì)的大小E=KIB/d,式中K是霍爾系數(shù),d為薄片的厚度,I為電流,B為磁感應(yīng)強(qiáng)度。圖1示出霍爾效應(yīng)的原理:在三維空間內(nèi),霍爾半導(dǎo)體平板在XOY平面內(nèi),它與磁場(chǎng)方向垂直,磁場(chǎng)指向Y軸的方向,沿X軸方向通以電流I,由于運(yùn)動(dòng)的電荷與磁場(chǎng)的相互作用,結(jié)果在Z軸方向上產(chǎn)生了霍爾電勢(shì)E,一般其值可達(dá)幾十毫伏。為此,將霍爾元件與電子線路集成在一塊約2mm*2mm的硅基片上,就做成了溫度穩(wěn)定性好、可靠性高的霍爾集成電路。 


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