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更新時(shí)間:2025-04-01 07:59:12瀏覽次數(shù):60次
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日立ArBlade 5000離子研磨系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高產(chǎn)量,并制備廣域橫截面樣品。 離子研磨系統(tǒng)使用通過在表面上照射氬離子束引起的濺射效應(yīng)來拋光樣品的表面。樣品預(yù)處理系統(tǒng)可以用于電子和材料等各個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)和質(zhì)量控制等?! ∨c機(jī)械拋光不同,離子研磨系統(tǒng)處理樣品而不會(huì)變形或施加機(jī)械應(yīng)力。因此,用于預(yù)處理樣品的離子銑削系統(tǒng)的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,不僅包括掃描電子顯微鏡(SEM),還包括原子力顯微鏡(SPM......
日立ArBlade 5000離子研磨系統(tǒng)能夠?qū)崿F(xiàn)高產(chǎn)量,并制備廣域橫截面樣品。
離子研磨系統(tǒng)使用通過在表面上照射氬離子束引起的濺射效應(yīng)來拋光樣品的表面。樣品預(yù)處理系統(tǒng)可以用于電子和材料等各個(gè)領(lǐng)域的研發(fā)和質(zhì)量控制等。
與機(jī)械拋光不同,離子研磨系統(tǒng)處理樣品而不會(huì)變形或施加機(jī)械應(yīng)力。因此,用于預(yù)處理樣品的離子銑削系統(tǒng)的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大,不僅包括掃描電子顯微鏡(SEM),還包括原子力顯微鏡(SPM / AFM)等。離子銑削系統(tǒng)應(yīng)用范圍廣泛,日立高新收集了用戶在各種領(lǐng)域提供的關(guān)鍵性建議和改進(jìn),并將它們納入到的設(shè)計(jì)平臺(tái)。
新推出的ArBlade 5000具有混合研磨功能,能夠進(jìn)行橫截面研磨,是日立離子研磨系統(tǒng)的標(biāo)志。此功能使樣品能夠根據(jù)所需的目的和應(yīng)用進(jìn)行預(yù)處理。
ArBlade 5000還具有PLUS II離子槍技術(shù)設(shè)計(jì)。這是一種新的氬離子槍,可以實(shí)現(xiàn)了1mm/hr以上的截面銑削速度(日立高新的IM4000Plus型號的兩倍)。新系統(tǒng)使用戶能夠在比以前更短的時(shí)間內(nèi)準(zhǔn)備橫截面,包括陶瓷和金屬等硬質(zhì)材料,這往往需要較長的加工時(shí)間。
此外,日立高新開發(fā)了全新的寬區(qū)域橫截面研磨,以實(shí)現(xiàn)橫截面研磨,研磨寬度為8mm,從而可以制備比以往更大的截面樣品。通過與下一代氬離子槍的協(xié)同效應(yīng),新的ArBlade 5000可以與市場上可用的任何其他離子系統(tǒng)一起制備廣域橫截面樣品。
主要特點(diǎn)
1.能夠進(jìn)行橫截面和平面的混合研磨系統(tǒng)。
2.通過PLUS II離子槍技術(shù)設(shè)計(jì)高速氬離子槍實(shí)現(xiàn)1mm/hr或更高的橫截面研磨速度。
3.通過使用廣域橫截面研磨,實(shí)現(xiàn)寬度達(dá)8mm的廣域加工。
4.基于采用LCD觸摸面板的全新控制系統(tǒng),增強(qiáng)了可操作性。
通用 | |
---|---|
使用氣體 | Ar(氬)氣 |
加速電壓 | 0~8 kV |
截面研磨 | |
研磨速率(材料Si) | 1 mm/hr*1以上含 1 mm/hr*1 |
研磨寬度 | 8 mm*2 |
樣品尺寸 | 20(W) × 12(D) × 7(H) mm |
樣品移動(dòng)范圍 | X ±7 mm、Y 0~+3 mm |
離子束間歇加工功能 | 標(biāo)準(zhǔn)配置 |
擺動(dòng)角度 | ±15°、±30°、±40° |
平面研磨 | |
加工范圍 | φ32 mm |
樣品尺寸 | φ50 × 25(H) mm |
樣品移動(dòng)范圍 | X 0~+5 mm |
離子束間歇加工功能 | 標(biāo)準(zhǔn)配置 |
旋轉(zhuǎn)速度 | 1 r/m、25 r/m |
傾斜角度 | 0~90° |
*1
Si突出遮擋板邊緣100 µm,1個(gè)小時(shí)加工深度
*2
使用廣域截面研磨樣品座時(shí)
項(xiàng)目 | 內(nèi)容 |
---|---|
高耐磨遮擋板 | 耐磨遮擋板是標(biāo)準(zhǔn)遮擋板的2倍左右(不含鈷) |
加工監(jiān)測用顯微鏡 | 放大倍率 15×~100× 雙目型、三目型(可加裝CCD) |
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