上海德竹芯源科技有限公司
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所 在 地上海
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更新時(shí)間:2024-08-09 07:41:05瀏覽次數(shù):282次
聯(lián)系我時(shí),請(qǐng)告知來自 儀表網(wǎng)動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀(D-SIMS)是使用一次離子束(通常是Cs源)轟擊樣品表面,而產(chǎn)生二次離子,然后用質(zhì)譜分析儀分析二次離子的質(zhì)荷比(m/q),從而得知元素在樣品中的深度分布,是分析半導(dǎo)體摻雜和離子注入的有力的工具。
優(yōu)勢(shì)
● ULVAC-PHI 新設(shè)計(jì)的四極桿-二次離子質(zhì)譜儀 ADEPT 1010,在原有的 PHI 6300 和 PHI 6600 的基礎(chǔ)上,改善了離子光學(xué)系統(tǒng),是在一次離子能量低至 250eV 時(shí),仍保持有效的濺射束流的動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜系統(tǒng)(D-SIMS)。
特點(diǎn)
● 大束流低能量離子槍設(shè)計(jì),提高了深度分辨率
● 高性能離子光學(xué)系統(tǒng),改善了二次離子傳輸效率,在提高分析效率的同時(shí)又提高了檢測(cè)靈敏度
● 高精度全自動(dòng) 5 軸樣品操控臺(tái)
● 不同方向進(jìn)入檢測(cè)器的二次離子,均可被高靈敏地收集檢測(cè)
應(yīng)用實(shí)例分析
● 采用一次離子源 Cs 在加速 5kV 束流為 100nA 的條件下,分析 GaAs 中注入的 H,C,O 元素??梢钥吹?H 檢測(cè)限值 7.1 × 1016 atm/cm3,O 檢測(cè)限值 4.4 × 1015 atm/cm3,C 檢測(cè)限值 2.0 × 1015 atm/cm3。
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