SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測(cè)量裝置SHR-1000

SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測(cè)量裝置SHR-1000

壽命測(cè)定裝置PV-2000A,壽命測(cè)量儀WT-1200,WT-1200B,WT-1200A,4探針薄層電阻測(cè)量儀FPP-1000,發(fā)射極薄層電阻測(cè)量裝置SHR-1000,激光橢圓儀LE-103PV

產(chǎn)品介紹

壽命測(cè)定裝置PV-2000A：可以使用 u-PCD 方法通過非接觸式和非破壞性的壽命測(cè)量來評(píng)估污染和雜質(zhì)，例如硅和化合物半導(dǎo)體中的鐵濃度?？梢园惭b各種頭用于開發(fā)高效太陽能電池，例如場(chǎng)效應(yīng)鈍化等鈍化層評(píng)估。

壽命測(cè)量裝置WT-1200 & WT-1200B ：少數(shù)載流子壽命測(cè)量裝置。u-PCD法可對(duì)硅塊、硅片進(jìn)行非接觸、無損的壽命測(cè)量，并可進(jìn)行映射顯示。通過壽命測(cè)量，您可以評(píng)估污染和雜質(zhì)，例如硅和化合物半導(dǎo)體中的鐵濃度。

低成本、非接觸式硅單點(diǎn)測(cè)量

WT-1200 和 WT-1200B 都使用快速、非接觸式載流子壽命測(cè)量來表征太陽能電池制造過程中每個(gè)步驟的硅材料。

WT-1200 可以測(cè)量從切割晶圓到成品太陽能電池的晶體。WT-1200B 是塊測(cè)量的模型。

FPP-1000 是一個(gè)獨(dú)立平臺(tái)，裝有一個(gè)傳統(tǒng)的 4 點(diǎn)探頭。它采用絕對(duì)測(cè)量方法，不依賴于校準(zhǔn)參考值。

SHR-1000 可以替代 4 點(diǎn)探頭進(jìn)行發(fā)射層表征，提供快速可靠的非接觸式測(cè)量。發(fā)射極薄層電阻是 PV 應(yīng)用中硅電池的關(guān)鍵質(zhì)量控制參數(shù)。

發(fā)射極薄層電阻測(cè)量裝置SHR-1000:這是一種非接觸式薄層電阻測(cè)量裝置。用于太陽能電池（單晶、多晶、非晶、有機(jī)）的研發(fā)。渦流法可以非接觸、非破壞性地高精度測(cè)量ITO薄膜等透明導(dǎo)電薄膜的薄層電阻。

激光橢圓儀可高精度測(cè)量薄膜的膜厚和光學(xué)特性（折射率、消光系數(shù)）。可以測(cè)量絕緣膜、有機(jī)膜、金屬膜等單層膜和多層膜，還可以評(píng)價(jià)表面粗糙度層和界面層。即使不了解橢圓偏光測(cè)量原理的人也可以毫無問題地使用它。

用于硅太陽能電池的激光橢偏儀。這種創(chuàng)新的微型儀器是為測(cè)量在紋理硅（單晶硅和多晶硅）基板上生長的抗反射涂層的厚度和光學(xué)常數(shù)而開發(fā)的?？梢暂p松優(yōu)化入射角 (12-90°)，以獲得在多晶晶片上生長的薄膜的信號(hào)。金字塔結(jié)構(gòu)將樣品固定在適當(dāng)?shù)奈恢?，同時(shí)允許其定向以進(jìn)行精確測(cè)量。