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IGBT|SiC功率半導(dǎo)體器件測(cè)試設(shè)備
產(chǎn)地 | 國(guó)產(chǎn) | 加工定制 | 否 |
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集電極-發(fā)射極 最大電壓 | 3500V | 集電極-發(fā)射極 最大電流 | 6000A |
漏電流測(cè)試范圍 | 1nA~100mA |
目前,武漢普賽斯儀表有限公司的產(chǎn)品已經(jīng)覆蓋了10pA-6000A、300mV-10KV的電壓電流范圍,并在多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。特別是在聚焦SiC/IGBT/GaN第三代半導(dǎo)體的電源及測(cè)試需求方面,我司在8000V、1000A以上量程及測(cè)試性能均處于絕對(duì)優(yōu)勢(shì)地位。此外,在大功率激光器測(cè)試、PD、APD、SPAD、SIPM晶圓測(cè)試及老化電源市場(chǎng),普賽斯儀表的產(chǎn)品也能夠滿足絕大多數(shù)應(yīng)用場(chǎng)景的需求。IGBT單管|模塊測(cè)試機(jī)認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表咨詢
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