普賽斯HCPL100型半導(dǎo)體測(cè)試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)為脈沖恒流源，具有輸出電流大（1000A）、脈沖邊沿陡（15us）、支持兩路脈沖電壓測(cè)量（峰值采樣）、支持輸出極性切換等特點(diǎn)。

設(shè)備可廣泛應(yīng)用于肖特基二極管、整流橋堆、IGBT器件、IGBT半橋模塊、IPM模塊等需要高電流的測(cè)試場(chǎng)合，使用該設(shè)備可以獨(dú)立完成“電流-導(dǎo)通電壓"掃描測(cè)試。

技術(shù)指標(biāo)
電流脈寬  50μs~500μs
脈沖電流上升沿時(shí)間    典型時(shí)間15us
輸出脈沖電流        5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
輸出負(fù)載電壓要求<12V@1000A
DUT電壓測(cè)量    2獨(dú)立通道
DUT電壓測(cè)量   遠(yuǎn)端測(cè)量，峰值電壓測(cè)量（取樣點(diǎn)可配置）
DUT電壓測(cè)量    0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT電壓測(cè)量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT電壓測(cè)量    0~18V量程，精度0.1%±8mV
電流脈沖輸出間隔時(shí)間1秒
電流脈沖峰值功率<12kW
支持多設(shè)備并聯(lián)輸出超大電流，如3000A
支持輸出極性反轉(zhuǎn)
觸發(fā)信號(hào)  支持trigin及trig out
通訊接口 RS232
輸入電壓        90~264VAC、50/60Hz
輸入功率<750W
尺寸：長(zhǎng)516x寬250x高160mm
 

半導(dǎo)體測(cè)試高電流源50μs-500μs脈寬可調(diào)應(yīng)用領(lǐng)域

肖特基二極管

整流橋堆

IGBT器件

IGBT半橋模塊

IPM模塊