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武漢普賽斯儀表有限公司
初級(jí)會(huì)員 | 第3年

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  • SiC+GaN靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU)的第三代半導(dǎo)體功率器件靜...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:51:01 對(duì)比
    SiC靜態(tài)參數(shù)GaN靜態(tài)參數(shù)SiC靜態(tài)測(cè)試GaN靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 大功率igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀器

    普賽斯大功率igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀器 ,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:48:57 對(duì)比
    IGBT測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀大功率igbt測(cè)試儀器靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
  • 高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    武漢普賽斯儀表推出的高電壓大電流igbt靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元,均采用多量程設(shè)計(jì),測(cè)試精度為0.1%。其中,柵極-發(fā)射極,最大支持30...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 12:06:08 對(duì)比
    igbt靜態(tài)參數(shù)igbt靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)功率器件靜態(tài)測(cè)試igbt測(cè)試設(shè)備
  • 光耦特性曲線測(cè)試設(shè)備

    光耦特性曲線測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導(dǎo)體材料與器件測(cè)試的專業(yè)智能裝備,產(chǎn)品覆蓋半導(dǎo)體領(lǐng)域從晶圓到器件生產(chǎn)全產(chǎn)業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源...

    型號(hào): PMST-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:35:38 對(duì)比
    光耦特性曲線特性曲線測(cè)試光耦特性測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 二極管反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備

    二極管反向擊穿電壓測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)普賽斯儀表,武漢普賽斯儀表有限公司,是一家專注于半導(dǎo)體的電性能測(cè)試儀表的開發(fā)、生產(chǎn)與銷售的研發(fā)型高新技術(shù)企業(yè)。公司以源表為核心產(chǎn)品...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:31:48 對(duì)比
    反向擊穿電壓測(cè)試擊穿電壓測(cè)試設(shè)備二極管反向擊穿測(cè)試高壓測(cè)試設(shè)備二極管測(cè)試設(shè)備
  • led反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    普賽斯led反向漏電流測(cè)試設(shè)備認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源表,脈沖源...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:28:22 對(duì)比
    反向漏電流測(cè)試led反向漏電流測(cè)試反向漏電流測(cè)試led漏電流測(cè)試led測(cè)試設(shè)備
  • 硅基|SiC特性曲線測(cè)試設(shè)備

    硅基|SiC特性曲線測(cè)試設(shè)備參數(shù)主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電壓...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:26:46 對(duì)比
    硅基特性曲線SiC特性曲線特性曲線測(cè)試轉(zhuǎn)移特性曲線輸出特性曲線
  • 二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備

    武漢普賽斯二極管反向漏電流測(cè)試設(shè)備主要包含:柵極-發(fā)射極閾值電壓VGE(th)、柵極-發(fā)射極漏電流lGEs、集電極-發(fā)射極截止電流lcEs、集電極-發(fā)射極飽和電...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 11:24:29 對(duì)比
    反向漏電流測(cè)試二極管測(cè)試設(shè)備二極管測(cè)試儀器漏電流測(cè)試設(shè)備二極管反向漏電流
  • 功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備

    普賽斯功率半導(dǎo)體行業(yè)測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:47:47 對(duì)比
    半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備功率器件測(cè)試設(shè)備
  • 第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯第三代半導(dǎo)體功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:33:43 對(duì)比
    功率器件靜態(tài)測(cè)試靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)第三代半導(dǎo)體測(cè)試第三代半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)
  • 功率器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

    普賽斯IGBT功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量IGBT功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ級(jí)精確測(cè)量、納安級(jí)電...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:24:51 對(duì)比
    功率器件測(cè)試設(shè)備功率器件靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試功率器件測(cè)試系統(tǒng)靜態(tài)測(cè)試系統(tǒng)
  • 高電流+大電壓功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備

    普賽斯數(shù)字源表集電壓源、電流源、電壓表、電流表、電子負(fù)載功能于一體,支持四象限工作、微弱電流10pA輸出測(cè)量、3500V高壓下納安級(jí)測(cè)量、1000A脈沖大電流輸...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:14:44 對(duì)比
    半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率半導(dǎo)體測(cè)試大電壓測(cè)試設(shè)備高電流測(cè)試設(shè)備功率半導(dǎo)體測(cè)試儀
  • 功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)1700V/1000A

    功率半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)1700V/1000A認(rèn)準(zhǔn)武漢生產(chǎn)廠家普賽斯儀表,普賽斯以自主研發(fā)為導(dǎo)向,深耕半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,在I-V測(cè)試上積累了豐富的經(jīng)驗(yàn),先后推出了直流源...

    型號(hào): PMST-1000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:10:41 對(duì)比
    半導(dǎo)體測(cè)試平臺(tái)功率半導(dǎo)體測(cè)試半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備功率器件測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試
  • igbt靜態(tài)測(cè)試設(shè)備價(jià)格

    普賽斯igbt靜態(tài)測(cè)試設(shè)備,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)的靜態(tài)...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 10:06:19 對(duì)比
    IGBT靜態(tài)測(cè)試IGBT靜態(tài)參數(shù)IGBT測(cè)試設(shè)備靜態(tài)參數(shù)測(cè)試igbt測(cè)試設(shè)備價(jià)格
  • 高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備

    高電壓and大電流igbt模塊測(cè)試設(shè)備集多種測(cè)量和分析功能一體,可精準(zhǔn)測(cè)量功率器件(MOSFET、BJT、IGBT等)的靜態(tài)參數(shù),電壓可高達(dá)3.5KV,電流可高...

    型號(hào): PMST-4000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 9:02:05 對(duì)比
    igbt模塊測(cè)試igbt測(cè)試設(shè)備igbt測(cè)試儀靜態(tài)測(cè)試設(shè)備
  • 高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備

    普賽斯高電流大電壓寬禁帶材料測(cè)試設(shè)備,主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試線、測(cè)試夾具、電腦、上位機(jī)軟件,以及相關(guān)通訊、測(cè)試配件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī),...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:30:07 對(duì)比
    寬禁帶材料測(cè)試材料測(cè)試設(shè)備高電流測(cè)試大電壓測(cè)試材料測(cè)試平臺(tái)
  • SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A

    普賽斯SiC靜態(tài)參數(shù)測(cè)試設(shè)備6000A,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)...

    型號(hào): PMST-6000... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥10000更新時(shí)間:2024/1/2 8:25:43 對(duì)比
    靜態(tài)參數(shù)測(cè)試靜態(tài)測(cè)試設(shè)備SiC靜態(tài)測(cè)試SiC靜態(tài)參數(shù)第三代半導(dǎo)體測(cè)試
  • 高電壓大電流igbt測(cè)試儀

    普賽斯高電壓大電流igbt測(cè)試儀,集多種測(cè)量和分析功能一體,可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件(如MOSFET、BJT、IGBT以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等)...

    型號(hào): PMST-3500... 所在地:武漢市參考價(jià): ¥1000更新時(shí)間:2024/1/2 8:07:58 對(duì)比
    igbt測(cè)試儀igbt靜態(tài)測(cè)試儀igbt靜態(tài)參數(shù)靜態(tài)參數(shù)測(cè)試

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