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大口徑動態(tài)plasma輔助法卷對卷式石墨烯制備設(shè)備返回列表頁

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更新時間：2023-05-16 07:50:32瀏覽次數(shù)：154次

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Plasma輔助法石墨烯制備設(shè)備

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產(chǎn)品簡介

設(shè)備簡介：該設(shè)備為我司研發(fā)用于材料連續(xù)生長的專用設(shè)備

詳情介紹

設(shè)備簡介：

該設(shè)備為我司研發(fā)用于材料連續(xù)生長的專用設(shè)備，此款設(shè)備是快速冷卻卷對卷等離子體增強CVD連續(xù)生長爐，它由高溫生長腔體，質(zhì)量流量計氣路系統(tǒng)，真空機組，RF射頻電源模塊，石英管，冷卻裝置，收放卷的密封裝置，自動化控制系統(tǒng)組成，兩端分別安裝有進料進氣真空腔室和出料排氣真空腔室（即收放卷的密封裝置），收放密封裝置內(nèi)分別對應(yīng)安裝有放卷滾輪和收卷滾輪，所輸出料排氣腔體與爐體之間安裝有冷卻裝置。相對于現(xiàn)有技術(shù)具有快速冷卻、連續(xù)生長的優(yōu)點。

1.加熱系統(tǒng)

溫度	1200℃
使用溫度	≤1100℃
爐管尺寸	Φ150mm（爐管直徑可根據(jù)實際需要定制。）
爐膛材料	氧化鋁、高溫纖維制品
熱電偶類型	K型熱電偶
控溫精度	±1℃
控溫方式	30段可編程控溫，PID參數(shù)自整定，操作界面為7”工控電腦，內(nèi)置PLC控制程序。
加熱長度	200+200+200mm
加熱原件	電阻絲
供電電源	單相，220V，50Hz

2、PE系統(tǒng)

功率輸出范圍	0W~1000W
反射功率	200W
射頻輸出接口	50 Ω, N-type, female
功率穩(wěn)定度	≤5W
諧波分量	≤-50dbc
供電電壓	單相交流（187V-253V）頻率50/60HZ
整機效率	>=70%
功率因素	>=90%
冷卻方式	強制風冷

3、三路質(zhì)子流量控制系統(tǒng)

連接頭類型	雙卡套不銹鋼接頭
標準量程（N₂)	200sccm，500sccm、1000sccm（可根據(jù)用戶要求定制）
準確度	±1.5%F.S
線性	±1%F.S
重復(fù)精度	±0.2%F.S
響應(yīng)時間	氣特性：1～4 Sec，電特性：10 Sec
工作壓差范圍	0.1～0.5 MPa
壓力	3MPa
接口	Φ6,1/4''
顯示	4位數(shù)字顯示
工作環(huán)境溫度	5~45高純氣體
壓力真空表	－0.1～0.15 MPa, 0.01 MPa/格
截止閥	Φ6
內(nèi)外雙拋不銹鋼管	Φ6

4、低真空機組

空氣相對濕度	≤85%
工作環(huán)境	5℃～40℃
工作電電壓	380V
抽氣速率	32m³/h
極限真空	5X10^-1Pa（空載冷態(tài)）
工作壓力范圍	1.01325X10⁵～1.33X10^-2Pa
進氣口口徑	KF40
排氣口口徑	KF40
連接方式	采用波紋管，手動擋板閥與波紋管相連