【儀表網 儀表會議】7月9日至12日，第二十二屆全國半導體物理學術會議在杭州舉行。會議由中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會、浙江大學、中國科學院半導體研究所主辦，浙江大學物理學系、硅材料國家重點實驗室聯(lián)合承辦。大會主席由中科院院士李樹深、楊德仁共同擔任，組委會主任由浙江大學教授吳惠楨擔任。
 

　　開幕式上，楊德仁、浙江大學副校長嚴建華分別致辭。會議設有8個邀請報告，介紹了后摩爾時代微電子技術領域面臨的挑戰(zhàn)、利用范德瓦爾斯相互作用實現(xiàn)人工二維異質結并制備高性能器件的新方法、溶液法制備半導體量子點過程中遇到的科學問題及解決方法、InAs/GaSb異質結構中的自旋量子霍爾效應以及拓撲超流態(tài)的研究進展、室溫下鈣鈦礦半導體中的極化激子凝聚現(xiàn)象、低維半導體器件在空間光電技術中的應用、使用光子糾纏態(tài)實現(xiàn)量子通信和量子計算所面臨的挑戰(zhàn)等。今年恰逢國家科學技術獎獲得者、中科院院士黃昆100周年誕辰，中科院院士朱邦芬作了專題紀念報告。
 

　　會議設有9個分會場，包括：半導體自旋物理與拓撲現(xiàn)象、半導體納米/量子結構及器件物理、半導體表面/界面物理與半導體材料生長和表征、硅基半導體與器件物理、寬帶隙半導體與器件物理、二維層狀材料及器件物理、有機與鈣鈦礦半導體物理及器件、紅外太赫茲和毫米波半導體材料及器件物理、半導體物理與器件的其他問題，包含176個分會邀請報告、205個口頭報告。會議張貼學術交流海報252個，并從中評選出20個報告獎。
 

　　閉幕式上，新一屆半導體物理專業(yè)委員會主任王開友介紹了委員會及半導體物理學術會議相關情況。會議期間還召開了中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會(擴大)工作會議，研討未來幾年的工作計劃，重點討論了2021年承辦第23屆全國半導體物理學術會議的相關事宜以及2023年遴選規(guī)則，提議根據(jù)此次會議內容撰寫我國半導體科技發(fā)展規(guī)劃等。
 

　　中科院院士黃如、沈學礎、朱詩堯等國內專家學者、青年學生、科技企業(yè)代表，純物理與應用物理聯(lián)合會(IUPAP)代表等1200余人參加此次會議。
 

　　全國半導體物理學術會議是由中國物理學會半導體物理專業(yè)委員會主辦的全國性會議，由黃昆于1977年倡導召開，每兩年舉辦一次，于奇數(shù)年召開，與兩年一次的半導體物理會議(偶數(shù)年召開)交錯舉行。會議旨在促進我國半導體物理研究領域學術交流，把握重大前沿發(fā)展動向，引導開展國內研究工作，提升我國半導體物理及相關學科的研究水平。下一屆會議將由西安電子科技大學承辦，于2021年7月召開。
 

　　(原文標題：第二十二屆全國半導體物理學術會議舉辦)