隨著社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展，國家對環(huán)保越來越重視，綠色發(fā)展已經(jīng)成為今后社會經(jīng)濟(jì)發(fā)展主流，綠色能源如太陽能發(fā)電成為今后國家能源發(fā)展的主要方向。而多晶硅作為太陽能電池板生產(chǎn)的主要原材料，是發(fā)展綠色能源不可或缺的原料，在電子工業(yè)中，多晶硅被視為“微電子大廈的基石”。
 

　　現(xiàn)行GB/T 29057-2012《用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的規(guī)程》標(biāo)準(zhǔn)為國內(nèi)首次制定的關(guān)于區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒的標(biāo)準(zhǔn)。在使用該標(biāo)準(zhǔn)時需參照其他標(biāo)準(zhǔn)，嚴(yán)重制約了國內(nèi)多晶硅企業(yè)及檢測機(jī)構(gòu)對多晶硅棒的評價測試，隨著檢測手段的不斷更新，標(biāo)準(zhǔn)內(nèi)部分內(nèi)容已不能滿足現(xiàn)行多晶硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的檢測需求，并且沒有有關(guān)氧濃度技術(shù)指標(biāo)的測試內(nèi)容。
 

　　本次通過修訂增加氧濃度技術(shù)指標(biāo)的測試內(nèi)容，使該標(biāo)準(zhǔn)滿足現(xiàn)行多晶硅產(chǎn)品標(biāo)準(zhǔn)的檢測要求，規(guī)范和提升國內(nèi)實(shí)驗(yàn)室檢測高純多晶硅的水平，這對促進(jìn)我國高純多晶硅生產(chǎn)質(zhì)量和極大規(guī)模集成電路產(chǎn)業(yè)以及N型高效太陽能電池發(fā)展具有重要的意義。
 

　　該文件規(guī)定了多晶硅棒取樣﹑將樣品區(qū)熔拉制成單晶以及通過光譜分析方法對拉制好的單晶硅棒進(jìn)行分析以確定多晶硅中痕量雜質(zhì)的程序。
 

　　該文件中適用的雜質(zhì)濃度測定范圍:施主和受主雜質(zhì)為(0.002~100)ppba(十億分之一原子比)，碳雜質(zhì)為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)，氧雜質(zhì)為(0.02~15)ppma(百萬分之一原子比)。樣品中的這些雜質(zhì)是通過低溫紅外光譜法或光致發(fā)光光譜法分析的。文件僅適用于評價硅芯上沉積生長的棒狀多晶硅。
 

　　該標(biāo)準(zhǔn)根據(jù)國內(nèi)使用改良西門子法生產(chǎn)棒狀多晶硅企業(yè)的實(shí)際測試情況，結(jié)合我國半導(dǎo)體及太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展現(xiàn)狀對原標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行修訂，進(jìn)一步完善棒狀多晶硅質(zhì)量評價的規(guī)程。
 

　　另外，該標(biāo)準(zhǔn)適用于用區(qū)熔拉晶法和光譜分析法評價多晶硅棒。包括多晶硅棒取樣、將樣品采用氣氛區(qū)熔工藝?yán)瞥蓡尉б约巴ㄟ^光譜分析法對制備好的單晶硅棒進(jìn)行分析，確定多晶硅棒中施主雜質(zhì)濃度、受主雜質(zhì)濃度及碳、氧雜質(zhì)濃度，主要修訂以下內(nèi)容:
 

　　1)根據(jù)GB/T 1.1調(diào)整標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)，使其更符合使用習(xí)慣;
 

　　2)增加干擾因素內(nèi)容;
 

　　3)明確規(guī)定區(qū)熔樣品的工藝參數(shù);
 

　　4)增加氧濃度技術(shù)指標(biāo)的測試內(nèi)容，通過實(shí)驗(yàn)確定最佳的氧濃度樣片取樣位置，對多晶硅中的氧濃度進(jìn)行準(zhǔn)確測量;
 

　　5)結(jié)合標(biāo)準(zhǔn)的實(shí)際使用情況對原標(biāo)準(zhǔn)的技術(shù)內(nèi)容進(jìn)行廣泛征集意見，進(jìn)行適當(dāng)修改。