原子層沉積系統(tǒng)ALD R-200 Standard
PICOSUN™ R系列ALD產(chǎn)品能夠沉積高質(zhì)量薄膜，即使襯底結構十分復雜，如多孔材料、高深寬比的溝槽或者納米顆粒, 沉積的薄膜均勻性也極其優(yōu)異。Picosun功能強大、易更換的固、液、氣態(tài)前驅(qū)體輸運系統(tǒng)確?？梢栽诠杵矫婊?D復雜基片及所有納米尺度的特征器件上制備無顆粒的薄膜。
原子層沉積系統(tǒng)技術參數(shù)
原子層沉積系統(tǒng)技術參數(shù)
襯底尺寸和類型
50 – 200 mm /單片
zui大可沉積直徑150 mm基片，豎直放置，10-25片/批次（根據(jù)工藝）
156 mm x 156 mm 太陽能硅片
3D 復雜表面襯底
粉末與顆粒
多孔，通孔，高深寬比（HAR）樣品
原子層沉積系統(tǒng)工藝溫度
50 – 500 °C, 可選更高溫度
原子層沉積系統(tǒng)基片傳送選件
氣動升降（手動裝載）
預真空室安裝磁力操作機械手（Load lock ）
前驅(qū)體
液態(tài)、固態(tài)、氣態(tài)、臭氧源
4根獨立源管線，zui多加載6個前驅(qū)體源
重量
350 kg
尺寸 (W x H x D)
取決于選件
zui小146 cm x 146 cm x 84 cm
zui大189 cm x 206 cm x 111 cm
選件
PICOFLOW?擴散增強器，集成橢偏儀，QCM， RGA，N2發(fā)生器，尾氣處理器，定制設計，手套箱集成（用于惰性氣體下裝載）。
原子層沉積系統(tǒng)驗收標準
標準設備驗收標準為 Al2O3 工藝
