技術(shù)要求
典型數(shù)值在27°C
氧化層厚度10000A
輻射Vth靈敏度
輻射場= 0.05 MV/cm : 靈敏度= 2.4mV/rad
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.8mV/rad
（靈敏度在 1.5 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.8mV/rad
（靈敏度在 1.5 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
溫度補償
TVTC 15mV/°C
（該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.）
（該數(shù)據(jù)出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數(shù)值.）
線性模式中Z.T.C. 數(shù)值~ -5µA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
飽和模式中Z.T.C.數(shù)值~ -30µA
（使用以下讀寫器電路配置）
（使用以下讀寫器電路配置）
預(yù)輻射劑量計的特點
閾值電壓（外推） -17.2 +/- 0.4V
Vth漂移時間（秒） 4mV
（該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強迫40µA，兩個中有一個因子會增大）
（該數(shù)據(jù)出自讀寫器配置強迫40µA，兩個中有一個因子會增大）
氧化層擊穿電壓>400V
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 20 pA
亞閾值斜率-500 mV/decade
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 1.95 Mohms
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