技術要求
典型數值在27°C
氧化層厚度1000A
輻射Vth靈敏度
輻射場 = 0.125 MV/cm : 靈敏度 = 0.09mV/rad
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
（靈敏度在 30 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
輻射場= 0 MV/cm : 靈敏度= 0.014mV/rad
（靈敏度在 30 krad（H2O），在以下讀寫器的配置中使用一個恒量10µA）
溫度補償
TVTC 2.5mV/°C
（該數據出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數值）
（該數據出自溫度27°C-100°C線性模式中的外推Vtp數值）
線性模式中Z.T.C. 數值 ~ 3µA
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
（Vs=Vb=0, Vds=-0.1）
飽和模式中Z.T.C.數值 ~ 30µA
（使用以下讀寫器電路配置）
（使用以下讀寫器電路配置）
預輻射劑量計的特點
閾值電壓（外推）-2.15 +/- 0.1V
Vth漂移時間（秒）2.2mV/十年
（該數據出自讀寫器配置強迫40µA.）
（該數據出自讀寫器配置強迫40µA.）
氧化層擊穿電壓 ~ 75V
溝道漏電流Vd=-12, Vg=Vs=Vbulk=0 ~ 10 pA
亞閾值斜率100 +/- 20 mV/十年
溝道電阻Vgs-Vth=5V, Vds=-0.1 ~ 0.3 Mohms
北京華恒鑫達科技發(fā)展有限公司還提供深水高純鍺譜儀、蓄水池全自動水樣核素活度監(jiān)測系統(tǒng)、同軸高純鍺探測器GCD系列（液氮致冷）、平面型高純鍺探測器GPD系列（液氮致冷）、便攜式高純鍺γ射線譜儀、手持式高純鍺探測器、自帶鉛室高純鍺譜儀、液體和氣體流量核素分析的屏蔽高純鍺譜儀、移動式高純鍺譜儀（現場使用）、X γ射線高純鍺譜儀（電致冷）、流動式高純鍺譜儀、CdZn TeCdTe探測器和相關電子附件、熱釋光等相關產品。
