K575X使用“渦輪”泵，前級(jí)為旋片式機(jī)械泵，整個(gè)抽真空過(guò)程為自動(dòng)控制。
真空度可調(diào)整，以適應(yīng)鉻或其它易氧化金屬，以及金靶等不同材料要求，定時(shí)器可設(shè)置成不同的濺射時(shí)間。
本系統(tǒng)裝配了磁控管靶，靶面直徑為54 mm，可快速更換靶材。
濺射頭用Peltier制冷，可得到高性能、精細(xì)顆粒的涂層（無(wú)需水冷卻）。
濺射時(shí)參數(shù)可預(yù)設(shè)，包括氣體放氣電磁閥。
K575d（雙頭）其它與K575X相同，只是具有兩個(gè)濺射頭。在進(jìn)行特殊涂層的應(yīng)用時(shí)，不需要打開真空即可進(jìn)行兩層沉積濺鍍。
注：K575d技術(shù)規(guī)格與K575X相同，但它具有兩頭。K575X具有peltier制冷，對(duì)于比較厚的沉積，通常用K575d（雙頭）單元，它需要用水冷卻。
特點(diǎn)
● 全自動(dòng)控制
● Peltier冷卻濺射頭
● 精細(xì)鍍層（0.5nm Cr粒子）
● 可傾斜的特殊旋轉(zhuǎn)臺(tái)作為標(biāo)準(zhǔn)配置
● 薄膜沉積（典型為5nm）
● 直徑為165mm腔室
● 可選雙濺射頭
● 可接膜厚測(cè)控儀
● 全自動(dòng)控制
● Peltier冷卻濺射頭
● 精細(xì)鍍層（0.5nm Cr粒子）
● 可傾斜的特殊旋轉(zhuǎn)臺(tái)作為標(biāo)準(zhǔn)配置
● 薄膜沉積（典型為5nm）
● 直徑為165mm腔室
● 可選雙濺射頭
● 可接膜厚測(cè)控儀
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技術(shù)規(guī)格
儀器尺寸：450mm W x 350mm D x 175mm H
工作腔室：硼硅酸鹽玻璃 165mm Dia x 125mm H
安全鐘罩：聚碳酸酯
基座： 110 mm直徑x 115mm高
重量：42公斤
靶：54 mm 直徑 x 0.2mm 厚(鉻作為標(biāo)準(zhǔn)靶材)
樣品臺(tái)：60mm直徑，具有傾斜功能的旋轉(zhuǎn)臺(tái)
真空范圍：ATM-1x10-5 mbar
操作真空：1 x 10-3 mbar到 1 x 10-4 mbar
濺射電流：0-150mA
沉積速率：0-20nm/分
濺射定時(shí)： 0-4 分鐘
渦輪分子泵：60 litres/Second (極限真空 1x10-8 mbar)
Services - Argon - Nominal 10 psi；
Nitrogen- Nominal 10 psi (Argon may be used as common gas)
真空泵：No 2. 泵complete with Vac. Hose & Oil Mist Filter 35L/Min 2m3/Hr
電源：230 伏 50Hz(包括泵zui大電流為6安培)
115 伏 60Hz(包括泵zui大電流為12安培)
