CET 華瑞產(chǎn)品應(yīng)用
1、Power Tools(電動(dòng)工具):CEP50N06 CEP6060R
2、Power Inverter(逆變器,UPS電源):CEP3205 CEP50N06 CEP9060R CEP70N06 CEP60N10 CEPF640 CEPF630 CEPF634 CEP740N CEP740A
3、E-bike(電動(dòng)車控制器):CEP3205 CEP9060R CEP50N06 CEP70N06 CEP7060R CEP8096 CEP80N75 CEP60N10
我專業(yè)代理中國臺(tái)灣CET產(chǎn)品。,CEP系列MOS管現(xiàn)貨有如下型號(hào)
CEP83A3G; CEP3205; CEP6056; CEP60N10;
*,歡迎洽談。
華瑞成立於1984年,是國內(nèi)競(jìng)爭(zhēng)力之功率半導(dǎo)體元件製造廠。本公司已取得多項(xiàng)產(chǎn)品發(fā)明,并經(jīng)ISO14001、QS9000、*。
華瑞是中國臺(tái)灣*家自行研發(fā)、生產(chǎn)、銷售Power MOSFETs自有品牌的公司。從元件設(shè)計(jì)、晶圓加工、封裝、特性分析、測(cè)試全程作業(yè)以及客戶服務(wù),行銷。本公司產(chǎn)品已被廣泛應(yīng)用於M/B、NB、UPS、Power Inverter、CCFL、DC Fan、SMPS、Adapter、Lighting、Battery、DC-DC、LCD Monitor…等領(lǐng)域。
華瑞擁有非常齊全的功率金氧半電晶體的產(chǎn)品線及高壓閘極絕緣雙極性電晶體產(chǎn)品,也可以依客戶需求客製化製作產(chǎn)品。華瑞擁有二十多年IC封裝經(jīng)驗(yàn)以及中國臺(tái)灣功率半導(dǎo)體元件經(jīng)驗(yàn)zui豐富、zui悠久的設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)。未來將以此為基礎(chǔ),開發(fā)更*之產(chǎn)品,以客戶服務(wù)為導(dǎo)向,提供*的品質(zhì)與交期,以期滿足客戶之需求。
2007 10 取得中國臺(tái)灣「自我對(duì)準(zhǔn)溝渠式功率金氧半場(chǎng)效電晶體(MSOFET)裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第I 287840號(hào))
2005 10 取得美國「Lower the on-resistance in protection circuit of rechargeable battery by using flip-chip technology」之發(fā)明(美國發(fā)明第6,917,117號(hào))
2005 10 取得大陸「功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管裝置及其製造方法」之發(fā)明(大陸發(fā)明第ZL01144661.7號(hào))
2005 5 取得中國臺(tái)灣「降低功率金氧半場(chǎng)效電晶體(MOSFET)導(dǎo)通電阻之封裝打線改良裝置」之新型(新型第M262837號(hào))
2005 4 取得大陸「無焊線式半導(dǎo)體裝置及其封裝方法」之發(fā)明(大陸發(fā)明第ZL02102821.4號(hào))
2004 12 取得大陸「導(dǎo)線架」之發(fā)明(大陸發(fā)明第ZL99123960.1號(hào))
2004 5 取得中國臺(tái)灣「利用防衛(wèi)環(huán)(Guard Ring)連接技術(shù)以達(dá)成功率半導(dǎo)體元件積體電路化之方法及裝置」之發(fā)明(發(fā)明第196136號(hào))
2004 5 取得大陸「充電電池保護(hù)電路用功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的覆晶安裝方法」之發(fā)明(大陸發(fā)明第ZL01110591.7號(hào))
2004 4 取得中國臺(tái)灣「高耐雪崩崩潰電壓元件之裝置,以及提高元件耐雪崩崩潰電壓之方法」之發(fā)明(發(fā)明第194175號(hào))
2003 12 取得中國臺(tái)灣「改變功率電晶體閘極結(jié)構(gòu)改善其切換速度之方法」之發(fā)明(發(fā)明第182953號(hào))
2003 9 取得中國臺(tái)灣「無焊線式半導(dǎo)體裝置及其封裝方法(一)」之發(fā)明(發(fā)明第176589號(hào))
2003 7 取得中國臺(tái)灣「單相降壓型直流電源轉(zhuǎn)換器整合式封裝構(gòu)造」之新型(新型第199864號(hào))
2003 5 取得中國臺(tái)灣「用於降低導(dǎo)通電阻之充電電池保護(hù)電路用功率電晶體的覆晶安裝方法」之發(fā)明(發(fā)明第168017號(hào))
2003 4 取得中國臺(tái)灣「半導(dǎo)體功率元件之封裝方法及及其裝置」之發(fā)明(發(fā)明第163944號(hào))
2003 3 取得中國臺(tái)灣「無焊線式半導(dǎo)體裝置及其封裝方法(二)」之發(fā)明(發(fā)明第165175號(hào))
2002 9 取得中國臺(tái)灣「利用井區(qū)漸層式摻雜降低功率MOSFET漏電流及提昇崩潰電壓之方法及其裝置」之發(fā)明
(發(fā)明第154006號(hào))
2002 9 取得中國臺(tái)灣「降低磊晶層電阻值之溝渠式功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第152521號(hào))
2002 8 取得中國臺(tái)灣「具有減少反向漏電流急變且提高耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」 之發(fā)明(發(fā)明第151542號(hào))
2002 7 取得中國臺(tái)灣「用於控制絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)裝置切換速率之方法,以及絕緣閘極雙極性電晶體(IGBT)
裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第151899號(hào))
2002 6 取得中國臺(tái)灣「低導(dǎo)通電阻值功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明 第151091號(hào))
2002 6 取得中國臺(tái)灣「在相同元件面積下以平面式技術(shù)取得具有溝渠式技術(shù)低導(dǎo)通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第151089號(hào))
2002 6 取得中國臺(tái)灣「平面式超低導(dǎo)通電阻值之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第151088號(hào))
2002 5 取得中國臺(tái)灣「具有低接觸電阻值之功率MOSFET裝置」之新型(新型第185499號(hào))
2002 4 取得中國臺(tái)灣「降低導(dǎo)通電阻值及增加耐雪崩崩潰電流能力之功率MOSFET裝置及其製造方法」之發(fā)明
(發(fā)明第147333號(hào))
2002 3 取得中國臺(tái)灣「利用離子植入技術(shù)提升功率MOSFET電晶體開關(guān)速率之方法及其裝置」之發(fā)明
(發(fā)明第145832號(hào))
2002 3 取得中國臺(tái)灣「溝渠式功率MOSFET之改良結(jié)構(gòu)及其製造方法」之發(fā)明(發(fā)明第144201號(hào))
2001 4 取得中國臺(tái)灣「高功率電晶體在塑膠封裝產(chǎn)品的導(dǎo)線架設(shè)計(jì)(一)」之新型(新型第153576號(hào))