
測量原理
本機采用白光共聚焦傳感器掃描法進行表面形貌測量,經(jīng)過測量可以得到 Wafer 的表面幾何尺寸特征信息。
功能設(shè)計
本機主要用于測量碳化硅、藍寶石、玻璃、砷化鎵、磷化銦、硅、鍺、金屬、陶瓷等平板材料的微觀形貌特征。我們使用 Semicon 定義來表述 wafer 形貌,如:THK(厚度)、TTV(厚度變化)、TIR、WARP(翹曲度)、SORI、BOW(彎曲度)等。
性能參數(shù)指標
分辨率(Resolution): 0.05μm
傳感器重復性(Repeatability): 0.20μm
測量精度(Accuracy): ±0.5μm(雙拋片)
測量點數(shù)(Data Points): 1 個/50μm
厚度精度(Thickness): ±0.5μm(雙拋片)
半自動型速度(Speed): 35s/片(米字型)
3、環(huán)境要求
儀器外擴/重量:L920*W800*H1370(MM)/450Kg 電腦/顯示器工作臺:L700*W700*H750(MM)
電源:AC220V/50HZ/1KW(帶地線/空間無強磁干擾) 潔凈度:千級或百級(環(huán)境內(nèi)無酸堿氣體)
地面:隔振地面
溫/濕度:23℃±2℃/≤70%;無水氣凝結(jié)