巖土力學(xué)相似模擬試驗(yàn)裝置
相似材料實(shí)驗(yàn)裝置
三維相似材料試驗(yàn)系統(tǒng)
相似模擬材料試驗(yàn)裝置
科研相似模擬試驗(yàn)系統(tǒng)
教學(xué)用相似模擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
巖土力學(xué)相似模擬試驗(yàn)裝置
相似材料實(shí)驗(yàn)裝置
三維相似材料試驗(yàn)系統(tǒng)
相似模擬材料試驗(yàn)裝置
科研相似模擬試驗(yàn)系統(tǒng)
教學(xué)用相似模擬實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)
一、巖土力學(xué)相似模擬試驗(yàn)裝置
1.用途；可模擬深部巖體在高溫度、高法向應(yīng)力、高水平應(yīng)力、高孔隙壓力的條件下的強(qiáng)度與變形特性，得到巖體在高溫高壓多場(chǎng)耦合復(fù)雜條件下的抗壓強(qiáng)度、抗拉強(qiáng)度、抗剪強(qiáng)度、彈性模量、體積模量、剪切模量、內(nèi)聚力和內(nèi)摩擦角、泊松比、滲透率、應(yīng)力敏感性、動(dòng)態(tài)巖石力學(xué)參數(shù)等；可實(shí)現(xiàn)三向不等壓應(yīng)力狀態(tài)，模擬巷道開挖、爆破過程中對(duì)巖體的擾動(dòng)，分析真三軸擾動(dòng)作用下的力學(xué)及損傷行為，揭示真三維循環(huán)擾動(dòng)對(duì)巖石漸變劣化損傷破壞機(jī)制；可測(cè)試蠕變和疲勞損傷性能，評(píng)價(jià)井下開采中巷道和采場(chǎng)圍巖穩(wěn)定性，軟巖巷道和深部開采地壓控制問題；可用于測(cè)試巖石在三軸加載的作用下的P波S波波速測(cè)試以及滲透性能試驗(yàn)，評(píng)價(jià)巖爆與突出動(dòng)力災(zāi)害，礦井突水預(yù)測(cè)、預(yù)報(bào)及預(yù)處理，深部開采等問題。
2.功能要求；設(shè)備由數(shù)字式電液伺服閉環(huán)控制，可位移或應(yīng)力控制，高壓壓力室密封采用抱箍卡拉，電控上下移動(dòng)，安全物理鎖緊?？蛇M(jìn)行高溫高壓多場(chǎng)耦合復(fù)雜條件下的三軸壓縮試驗(yàn)、動(dòng)三軸試驗(yàn)、蠕變?cè)囼?yàn)、疲勞試驗(yàn)、滲透試驗(yàn)、超聲波試驗(yàn)，還可以完成單軸壓縮試驗(yàn)、巴西試驗(yàn)、水壓致裂試驗(yàn)、變角度剪切試驗(yàn)，還可完成三向剛性加載的真三軸試驗(yàn)、CVA徑向波速各向異性試驗(yàn)。另外還配備了聲發(fā)射測(cè)試系統(tǒng)及3D靜態(tài)DIC應(yīng)變與溫度場(chǎng)測(cè)量系統(tǒng)的功能模塊。并且預(yù)留了升級(jí)功能接口。
巷道相似模擬試驗(yàn)系統(tǒng)
三維相似材料試驗(yàn)系統(tǒng)-A
隧道與地下工程災(zāi)變模擬多功能試驗(yàn)系統(tǒng)
隧道相似模擬試驗(yàn)裝置-AB
巖土工程相似材料試驗(yàn)裝置
相似模擬加載系統(tǒng)
復(fù)雜條件多維模擬系統(tǒng)
3.技術(shù)要求；
1反力框架
1.1 框架剛度：10GN/m。
1.2 軸向力：1000kN，精度0.25%FS。
1.3 圍壓：100 MPa。
1.4 工作溫度：室溫~100℃。
1.5 伺服作動(dòng)器：可調(diào)節(jié)油缸行程0-100mm。
1.6 動(dòng)態(tài)加載力：500kN，頻率5Hz。
1.7 水平滑軌：可移動(dòng)和固定圍壓室。
1.8 配置鋼化玻璃門。
2 真三軸（三向）應(yīng)力加載
★2.1試樣尺寸：50mm x 50mm x 100mm（長(zhǎng)x寬x高）。
2.2中主應(yīng)力(σ2) : 40MPa。
2.3最小主應(yīng)力(σ3)：40MPa。
2.4三個(gè)方向位移測(cè)量：量程：±2.5mm,精度：0.25%。
3 高壓壓力室
3.1工作溫度：100℃。
3.2工作圍壓：100MPa。
3.3工作法向壓力：1000KN。
3.4控制精度：0.1%FS。
3.5控制方式：具備流量控制和階梯壓力控制以及恒壓控制三種方式。
深地復(fù)雜環(huán)境相似模擬試驗(yàn)系統(tǒng)
地下工程相似模擬試驗(yàn)系統(tǒng)
深地資源利用與復(fù)雜條件多維模擬系統(tǒng)
4軸壓伺服控制裝置
4.1壓力控制范圍：0～1000kN。
4.2控制精度：0.1%FS。
★4.3控制方式：具備階梯壓力控制和恒壓控制兩種壓力控制方式；具備位移加載控制和階梯位移加載控制以及LVDT位移控制三種位移控制方式。
5 高溫高向&環(huán)向變形測(cè)量裝置
5.1圍壓室內(nèi)軸向位移：2個(gè)LVDT傳感器，量程0∽5mm，精度：0.25%FS。
6.配置要求；
