等離子體增強化學氣相沉積
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition - PECVD
Deplab 200 PECVD 是SENTECH開發(fā)的高性價比直接載片式平行板電極等離子體增強化學氣相沉積系統(tǒng)。
主要技術(shù)特點
● 高性價比：Depolab 200 等離子體增強化學氣相沉積設備將平行板等離子體源設計與直接載片相結(jié)合。
● 升級擴展性：Depolab 200 等離子體增強化學氣相沉積設備采用模塊化設計，可升級更大的真空泵組，低頻射頻源和更多的氣路。
● 控制軟件：強大的用戶友好軟件包括模擬圖形用戶界面、參數(shù)窗口、工藝菜單編輯窗口、數(shù)據(jù)記錄和用戶管理。
● Depolab 200 是 SENTECH 開發(fā)的基本科研型等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備，它結(jié)合了用于均勻薄膜沉積的平行板電極設計和直接載片的腔體設計，具有高性價比的優(yōu)點。從 2″ 至 8″ 晶片和樣品的標準應用開始，可逐步升級以完成復雜的工藝。
● Depolab 200 的顯著特點是系統(tǒng)的可靠設計，軟件和硬件的靈活性。在該設備上開發(fā)了不同的工藝，例如用于高質(zhì)量氮化硅和氧化硅層的沉積。PECVD Depolab 200 包括帶氣路柜的反應腔體，電子控制，計算機、前級泵和配電箱。
● Depolab 200 等離子增強沉積設備用于在從室溫到 400℃ 的溫度范圍內(nèi)沉積 SiO2、SiNx、SiONx 和 α-Si 薄膜。Depolab 200 特別適用于沉積用于刻蝕掩膜，電隔離膜及其他的介質(zhì)膜。
● Depolab 200 由 SENTECH 的控制軟件操作，使用遠程現(xiàn)場總線技術(shù)和用戶友好的通用用戶界面。
等離子體增強化學氣相沉積設備 - Depolab 200
● 干泵組
● 開蓋載片
● 占地面積小
● 可選低頻射頻降低應力
● 襯底溫度可高達 400?°C
● 適用于大到 200mm 的晶片
● 等離子增強化學氣相沉積(PECVD)設備
